Cette plaque conductrice (20) est dotée d'un trou (22) correspondant au thyristor blocable par la gâchette et le dispositif possède une contre-cathode (16) et une entretoise (18) annulaire.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à tension de tenue élevée, tel qu'un thyristor blocable par la gâchette, dans lequel la concentration de champ en surface au niveau de la jonction PN est réduite.
Cette invention concerne un thyristor interrupteur (GTO) comprenant une partie inférieure, une partie supérieure et un couvercle.
Ainsi, on peut obtenir un thyristor à induction statique, un transistor à induction statique ou un thyristor blocable dans lequel les régions de grille et les électrodes de commande sont noyées dans un substrat semi-conducteur.
L'invention concerne un thyristor blocable dans lequel une résistance série est montée côté cathode.
L'invention concerne un thyristor d'arrêt de porte présentant un semi-conducteur à espace large de type mesa, présentant une faible tension de résistance de porte et un courant de fuite élevé.
L'invention concerne un dispositif destiné au couplage peu inductif d'un thyristor (6), blocable par la gâchette, à son dispositif de commande.
Le thyristor (6) blocable par la gâchette présente une bride-gâchette (12) annulaire en guise d'alimentation de la gâchette et son dispositif de commande possède une plaque conductrice (20) en guise de bornes.
les thyristors blocables par la cachette (GTO
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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