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Dictionnaire anglais - français

gate oxide

oxyde de grille

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu acta.es
The gate includes a gate oxide and a conductive material over the gate oxide.

La grille comprend un oxyde de grille et un matériau conducteur sur l'oxyde de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The second gate oxide has a different thickness than the first gate oxide.

Le second oxyde de grille présente une épaisseur différente de celle du premier oxyde de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate stack includes a gate oxide layer on the silicon layer and a gate electrode layer on the gate oxide layer.

L'empilement de grille comprend une couche d'oxyde de grille sur la couche de silicium et une couche d'électrode de grille sur la couche d'oxyde de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The cascode stage comprises a thin gate oxide transistor and a thick gate oxide transistor.

L'étage cascode comprend un transistor à oxyde de grille mince et un transistor à oxyde de grille épais.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The transistor further includes a gate oxide layer on the channel region, and a gate on the gate oxide layer.

Le transistor comporte en outre une couche d'oxyde de grille sur la région de canal, et une grille sur la couche d'oxyde de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
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Étude de la robustesse de l’oxyde de grille pour des applications aéronautiques
... However, this technology presents some reliability problems as short-circuit and avalanche mode robustness as well as the threshold voltage instability and gate oxide reliability....
... Cette technologie présente des problèmes de fiabilité tels que la robustesse face au phénomène d’avalanche, face aux courts-circuits, ainsi que l’instabilité de la tension de seuil et la robustesse de l’oxyde de grille....
général - core.ac.uk -
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Caractérisation et modélisation de la fiabilité relative au piégeage dans des transistors décananométriques et des mémoires sram en technologie fdsoi
... Currently, theBias Temperature Instability (BTI), which is mostly due to the carrier trapping occurring in the gate oxide,appears to be the principal source of degradation responsible for the ageing of transistor device....
... Aujourd’hui, ladégradation BTI (pour Bias Temperature Instability), due principalement aux mécanismes de piégeage dansl’oxyde de grille, apparait comme étant la principale source de dégradation responsable du vieillissement destransistors....
Europe - core.ac.uk - PDF: tel.archives-ouvertes.fr
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Etude à l'échelle nanométrique par sonde locale de la fiabilité et de la dégradation de films minces d'oxyde pour applications mos et mim
Integration of High-k dielectrics in gate oxides of MOS raised new issues concerning the reliability of futur technology nodes....
... La miniaturisation constante des dispositifs conduisant à l'amincissement des épaisseurs d'oxyde de grille, leur caractérisation électrique est rendue de plus en plus complexe à l'échelle du dispositif....
Europe / politique tarifaire - core.ac.uk - PDF: tel.archives-ouvertes.fr
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Electrical characterization & modeling of the trapping phenomena impacting the reliability of nanowire transistors for sub 10nm nodes
In advanced CMOS technologies, microscopic defects localized at the Si interface (Nit) or within the gate oxide (Nox) degrade the performance of CMOS transistors, by increasing the low frequency noise (LFN)....
...Dans les technologies CMOS avancées, les défauts microscopiques localisées à l'interface Si (Nit) ou dans l'oxyde de grille (Nox) dégradent les performances des transistors CMOS, en augmentant le bruit de basse fréquence (LFN)....
politique tarifaire / Europe - core.ac.uk - PDF: tel.archives-ouvertes.fr
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Full chip modeling for predictive simulation of charged device model electrostatic discharge events... Gate oxide failure is the primary signature of CDM ESD....
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk

Publications scientifiques

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Post-polysilicon gate-process-induced degradation on thin gate oxideAbstract- The post-polysilicon gate-process-induced degrada-tion on the underlying gate oxide is studied....
général - core.ac.uk - PDF: ir.lib.nctu.edu.tw
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Characterization of 0.5µm bicmos gate oxide using time dependent dielectric breakdown test... This paper presents Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) testing of gate oxide on 0.5µm...
général - core.ac.uk - PDF: www.scientific.net
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Hrtem image simulations for gate oxide metrology... However, shrinking device dimensions (gate oxides are rapidly approaching 10{angstrom}) present challenges to the use of HRTEM for many applications, including gate oxide metrology....
général - core.ac.uk - PDF: digital.library.unt.edu
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Reliable cache design with detection of gate oxide breakdown using bistAbstract — Scaling of device sizes has reduced gate oxide thickness to a few atomic layers, increasing the vulnerability of the gate oxide to breakdown....
général - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu

Exemples anglais - français

gate-oxide reformation

reformation de l'oxyde de grille
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

silicon gate oxide semiconductor

semi-conducteur SGO
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
semiconducteur SGO
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Traductions en contexte anglais - français

The capacitor may include a gate over a gate oxide and an n-well under the gate oxide.

Le condensateur peut inclure une gâchette située sur un oxyde de gâchette et un puits n situé sur l'oxyde de gâchette.

informatique et traitement des données - wipo.int
A tunnel oxide region (24) is formed in the floating gate oxide layer (23), and a floating gate (21) is then formed on the interpoly oxide, the floating gate oxide, and the tunnel oxide.

On forme une région d'oxyde tunnel (24) dans ladite couche d'oxyde (23) de la grille flottante, puis on forme une grille flottante (21) sur l'oxyde interpoly, l'oxyde de la grille flottante, ainsi que l'oxyde tunnel.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate oxide next to the select gate is replaced by a layer of tunnel oxide (18).

L'oxyde de la grille se trouvant à côté de la grille de sélection est remplacé par une couche d'oxyde tunnel (18).

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate contact is on top of the gate oxide layer.

Le contact de grille est située sur le dessus de la couche d’oxyde de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The gate oxide layer (21) and the gate are re-oxidized.

La couche d'oxyde (21) de grille et la grille sont réoxydées.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Gate material (31) is deposited on the gate oxide layer (21).

On dépose un matériau de grille (31) sur ladite couche d'oxyde (21) de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Gate material (42) is deposited on the gate oxide layer (41).

Le matériau de grille (42) est déposé sur une couche d'oxyde de grille (41).

électronique et électrotechnique - wipo.int
A gate oxide film (3a) is formed.

Une couche d'oxyde de grille (3a) est formée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A gate oxide layer (21) is formed.

On forme une couche d'oxyde (21) de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A gate oxide layer (41) is formed.

Une couche d'oxyde de grille (41) est formée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A gate electrode (9) is formed on the gate oxide film (3a).

Une électrode de grille (9) est formée sur la couche d'oxyde de grille (3a).

électronique et électrotechnique - wipo.int
The vertical gate region and the NMOS region are isolated by a gate oxide layer, and the vertical gate region and the PMOS region are also isolated by a gate oxide layer.

La région de grille verticale et la région NMOS sont isolées par une couche d'oxyde de grille, et la région de grille verticale et la région PMOS sont également isolées par une couche d'oxyde de grille.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A gate electrode is formed on a gate oxide over the channel region.

Une gâchette est réalisée sur un oxyde de grille au-dessus de la région canal.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Adjacent an edge of the top oxide layer, a dual gate oxide is formed.

Un oxyde de double grille est formé adjacent à un bord de la couche d'oxyde supérieure.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The thin oxide layer used for the transistor gate oxide also serves as the capacitor dielectric, and the thickness of the dielectric relative to the gate oxide is controlled.

La couche mince d'oxyde utilisée pour l'oxyde de grille de transistor sert de diélectrique de condensateur et l'épaisseur du diélectrique par rapport à l'oxyde de grille est régulée.

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