La présente invention concerne un appareil et un procédé permettant de former des rubans de saphir par croissance en filière (méthode EFG).
La présente invention concerne un appareil et un procédé permettant de cultiver une feuille de saphir par croissance en filière (méthode EFG) comprenant un écran thermique formant un angle par rapport à la surface latérale d'une pointe de filière.
L'invention concerne un dispositif mécanique amélioré qui commande l'introduction de particules de silicium dans un creuset/moule EFG (tirage de ruban par croissance) pour une reconstitution d'une matière fondue lors d'une croissance de cristal.
La présente invention concerne un cristal à scintillation et un procédé pour développer un cristal à scintillation, qui comprend un cristal unique brut EFG (« Edge-defined Film-fed Growth »).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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