La densité des atomes dopants P des deux régions dopées P (210, 224) est supérieure à la densité des atomes dopants P de la région dopée P isolée.
Dans un exemple, la densité des atomes dopants à l’intérieur d’un matériau de gaine optique supérieure se situe entre 3-6 % (du poids).
L'indice de performance élevée est stable car la densité des atomes dopants est si contrôlée que l'indice de performance élevée est garanti.
La densité des atomes dopants dans la surface des secondes zones de diodes est au moins trois fois supérieure à celle dans les premières zones de diodes.
Le gradient de concentration en dopant peut comprendre une concentration en dopant maximale, une concentration en dopant semi-maximale et une pente à ou près de la concentration en dopant semi-maximale.
De telles informations comprennent la concentration du dopant et la localisation du dopant.
La seconde couche semi-conductrice contient une seconde concentration en dopant inférieure à la première concentration en dopant.
La zone dopante super-activée a une concentration de dopant activé supérieure à la zone dopante activée et/ou a une concentration de dopant activé qui est constante dans toute la zone de fusion.
La seconde couche présente une concentration de dopant qui est supérieure à la concentration de dopant de la première couche.
En particulier, le procédé et le dispositif sont destinés à augmenter la concentration de dopants de la région à concentration inférieure, mais peuvent également servir à diminuer la concentration de dopants de la région.
La résistance (118) présente une concentration d'atomes dopants qui est sensiblement égale à une concentration d'atomes dopants de la grille de mémoire (150) et sensiblement inférieure à une concentration d'atomes dopants de la grille logique (130).
La zone drain comprend une première section drain (108) d'une première concentration de dopage et une deuxième section drain (118) d'une deuxième concentration de dopage qui est inférieure à la première concentration de dopage.
La concentration en dopant de la paire de troisièmes régions est supérieure à la concentration en dopant de la paire de deuxièmes régions.
La première couche a une concentration en dopant présentant le premier type de conductivité inférieure à celle de la seconde couche.
Le profil de concentration en dopant actif est caractérisé par un niveau de concentration et par une profondeur de jonction.
Le bus de grilles présente une rallonge connectant le bus de grilles dans la seconde couche de concentration de dopant supérieure à la première couche de concentration de dopant inférieure.
Certains procédés fournissent une concentration plus élevée de dopant dans des trous de liaison conducteurs en comparaison avec la concentration de dopant moyenne sur des surfaces avant ou arrière, et fournissent une meilleure efficacité.
Le recuit SPE produit une concentration élevée de dopant actif dans la couche mince.
Les profils de concentration en dopants sont définis par une paire de paramètres alpha.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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