L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire à base d'une couche mince de semi-conducteur (5) constituée de germanium ou d'un semi-conducteur direct.
Les modes de réalisation de la présente invention se rapportent à des ensembles à empilement de puces semi-conductrices qui permettent la fixation directe d'un premier dispositif à semi-conducteurs à un second dispositif à semi-conducteurs.
La présente invention concerne une nouvelle technique et un procédé d'explosion coulombienne directe au cours d'une ablation par laser de structures semi-conductrices dans des matériaux semi-conducteurs.
Le dopage de la structure à semi-conducteur a pour effet de diriger le flux d'électrons au travers de ladite structure vers une zone d'émission de surface du même nom.
La partie de la première couche de semi-conducteur de premier type de conductivité sous la partie de recouvrement de la couche de semi-conducteur de second type de conductivité est en contact direct avec la surface de semi-conducteur du substrat.
Chaque bloc à semi-conducteurs (10) comprend une électrode de contact ohmique (11) utilisée pour transmettre un courant continu produit par le bloc à semi-conducteurs (10).
Le premier dispositif semi-conducteur comprend un circuit de convertisseur de courant continu en courant continu (CC-CC) qui donne la sortie de tension de source.
Un premier élément conducteur est en contact direct avec la couche semi-conductrice d'oxyde et en contact direct avec l'électrode de source.
Un second élément conducteur est en contact direct avec la couche semi-conductrice d'oxyde et en contact direct avec l'électrode de drain.
Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, l'élément de circuit est utilisable pour intercepter sensiblement le courant continu qui est émis par le dispositif semi-conducteur ou un autre dispositif semi-conducteur.
L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire à base d'une couche mince de semi-conducteur (5) constituée de germanium ou d'un semi-conducteur direct.
Une bande interdite directe, des matériaux semi-conducteurs monocristallins, tels que l'AsGa sont utilisés communément dans le réseau.
Un matériau semi-conducteur épitaxial est en contact direct avec lesdites au moins deux structures en ailettes.
Après liaison, le film flexible (48) est en contact direct avec les structures semi-conductrices (13).
Dispositif à diode semi-conductrice émettrice/réceptrice pour le couplage optique direct à une installation de transmission de signaux optiques.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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