En outre, en recouvrement inverse de diode, l'accumulation de porteurs dans une région de migration dans la région de frontière peut être supprimée afin de réduire un courant de recouvrement inverse.
La zone locale de dopant diminue l'efficacité d'injection de porteuse minoritaire de la diode du corps du dispositif et modifie la distribution des champs électrique pendant la récupération inverse de la diode du corps.
Un redresseur élévateur de tension est pourvu d'une diode (D) à ultra haute vitesse dans son pôle d'alimentation en courant continu afin de réduire la perte de recouvrement inverse avec ou sans mise en application d'une technique de commutation souple.
En réduisant les pertes de mise sous tension par commutation et de récupération inverse des diodes, les convertisseurs de puissance à commutation douce de l'invention peuvent fonctionner efficacement à des fréquences de commutation supérieures.
L'invention concerne un dispositif MOS amélioré basse tension présentant une grande résistance, une faible résistance à l'état passant, et des caractéristiques de recouvrement inverse de diode de structure.
Ce dispositif comprend un substrat à semiconducteur sur lequel est déposée une couche supérieure dopée d'un premier type de conduction.
L'invention concerne une diode de puissance n'ayant sensiblement aucun temps de recouvrement inverse et ayant une conductance relativement élevée.
Le temps de récupération inverse de la diode haute fréquence à récupération rapide peut être réduit, et l'efficacité de résistance à la tension de la diode haute fréquence à récupération rapide peut être améliorée.
En outre, en recouvrement inverse de diode, l'accumulation de porteurs dans une région de migration dans la région de frontière peut être supprimée afin de réduire un courant de recouvrement inverse.
C'est ce que l'on appelle le recouvrement inverse de la diode.
Ledsdits convertisseurs présentent des pertes de commutation significativement réduites et des pertes de recouvrement inverse des diodes permettant une utilisation à des fréquences de commutation élevées.
Selon l'invention, dans les circuits de convertisseurs connus, les pertes de commutation qui se produisent sont provoquées par des courants de recouvrement inverse d'une diode libre.
Le corps en SiGe permet de réduire le courant de trous lors du passage à l'état passant de sa diode et donc les pertes de puissance lors du recouvrement inverse.
Un corps SiGe réduit le courant de trou lorsque la diode du corps est allumée, ce qui réduit les pertes de puissance de recouvrement inverse. les caractéristiques du dispositif sont également améliorées.
La zone locale de dopant diminue l'efficacité d'injection de porteuse minoritaire de la diode du corps du dispositif et modifie la distribution des champs électrique pendant la récupération inverse de la diode du corps.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод