La technique de fabrication pour le dispositif est simple et est compatible avec les techniques de fabrication de dispositifs de type à déplétion conventionnels.
Un troisième transistor MOS (30) du type à appauvrissement est connecté à la cellule de stockage (19).
transistor à effet de champ à appauvrissement
transistor à effet de champ à déplétion
Dans un autre aspect de l'invention, les forces de dépression et les zones de dépression peuvent être utilisées dans la réalisation de l'auto-assemblage et l'autoréplication des matériaux, comprenant sans limitation des particules colloïdales.
Une mémoire morte comprend une pluralité de transistors à effet de champ (9) programmés pour être du type à enrichissement ou à appauvrissement.
La présente invention concerne un transistor DMOS à appauvrissement qui comprend un espace dans un matériau d'électrode qui permet l'incorporation d'une espèce de dopant de puits dans le matériau semi-conducteur sous-jacent.
L'invention concerne une unité de registre à décalage, un registre à décalage et un dispositif d'affichage permettant de contrer l'influence du problème de fuite de courant d'un transistor à couche mince de type appauvrissement sur un registre à décalage.
Le circuit de décalage de niveau comprend un transistor NMOS de type appauvrissement, comprenant une porte connectée au nœud de sortie, et un transistor PMOS comprenant une porte connectée au premier signal d'activation.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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