A la lecture de données provenant d'une mémoire à tores magnétiques (100), les données actualisées sont sélectionnées à partir de la mémoire à tores magnétiques (100) et réglées au temps d'horloge dans le dispositif d'économie d'énergie.
La présente invention concerne un système de commande de mémoire à auto-synchronisation, qui comprend une rangée et une colonne fictives de cellules de mémoire le long de bords voisins d'une matrice de mémoire à tores.
La mémoire à tores magnétiques fut la forme dominante de mémoire vive des ordinateurs durant 20 ans (de 1955 à 1975).
Celui-ci utilisait une mémoire à twistors pour la ROM et une mémoire à tores magnétiques pour le RAM.
La mémoire à tores magnétiques fut la forme dominante de mémoire vive des ordinateurs durant 20 ans (de 1955 à 1975).
Parallèlement, les progrès dans le développement de la mémoire à l'état solide éliminé le volumineux, coûteux et avide de pouvoir mémoire de noyau magnétique utilisé dans les générations précédentes d'ordinateurs.
Parallèlement, les progrès dans le développement de la mémoire à l'état solide éliminé le volumineux, coûteux et avide de pouvoir mémoire de noyau magnétique utilisé dans les générations précédentes d'ordinateurs.
L'invention concerne un dispositif mémoire qui comporte une mémoire centrale telle qu'une mémoire flash pour stocker des données.
La mémoire à noyau magnétique (mémoire à noyau de ferrite) est une autre forme ancienne de mémoire d'ordinateur.
De plus, l'accès mémoire par un coeur de processeur peut être surveillé pour déterminer si l'accès mémoire par le coeur de processeur se situe dans l'adresse de page.
L’ordinateur utilisait la mémoire MOS au lieu du noyau.
Le chargement du message dans la mémoire vive de la passerelle est effectué jusqu'au moment de la réception de l'intégralité du message; un seul message à la fois est chargé dans la mémoire vive.
Divers modes de réalisation de la présente invention concernent des modules de mémoire multicoeurs.
L'ordinateur avait 2 048 mots de mémoire centrale effaçable magnétique et 36 kilomots de mémoire en lecture seule.
L'ordinateur avait 2 048 mots de mémoire centrale effaçable magnétique et 36 kilomots de mémoire en lecture seule.
Divers modes de réalisation de la présente invention concernent des modules de mémoire à multicœurs.
Les peaux sont glissées sur les unités mémoires à tores à la main à partir d'une extrémité.
L'invention concerne également une mémoire centrale utilisant des noyaux d'aimant à couches minces ainsi qu'une matière STE.
1951 - Jay Forrester dépose un brevet pour la mémoire de base de la matrice.
La DRAM deviendra la puce de mémoire standard pour les ordinateurs personnels remplaçant la mémoire magnétique.
Les présentes données sont sélectionnées dans la mémoire centrale et synchronisées dans la logique d'économie d'énergie.
L’objectif des fondateurs était le marché des mémoires à semi-conducteurs, dont on prévoyait largement qu’elles remplaceraient les mémoires à noyau magnétique.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод