Cette invention concerne une diode électroluminescente présentant une couche tampon de contact ohmique dopée n, et son procédé de fabrication.
La deuxième couche tampon en contact avec la première couche tampon est une pellicule mince d'oxyde de zinc.
Des plages de soudure métallique (44, 45) formées sur la couche tampon de contrainte sont en contact électrique avec le contact métallique du type p et le contact métallique du type n, par les ouvertures de la couche tampon de contrainte.
La couche tampon de contrainte comporte des ouvertures mettant à nu le contact métallique du type p et le contact métallique du type n.
Une seconde électrode peut être en contact avec la couche tampon.
Une deuxième couche tampon (142) en contact avec la première couche tampon (141) est formée d'une pellicule mince d'oxyde de zinc.
Chacune de ces entretoises (15) peut se déplacer entre une position de contact directement au-dessus d'un tampon (9) formant contrepoids et une position de non contact à l'extérieur d'une zone située directement au-dessus de ce tampon (9).
La valeur minimale acceptable de chevauchement horizontal entre plateaux de tampon doit être de 25 mm.
Le film tampon (51) est formé en contact avec la surface de paroi latérale (80A) du trou de contact (80).
Le tampon peut être un tampon acétate, un tampon citrate, un tampon formate, un tampon tartrate, un tampon phosphate, un tampon glycine-acide chlorhydrique, un tampon citrate-phosphate, ou un tampon similaire.
Cet oxyde isole le tampon émetteur de la section de contact polysilicone (160) de l'émetteur.
Selon un mode de réalisation, le contact arrière SWNT comprend une caractéristique de semi-conducteur et une caractéristique de tampon.
Ledit dispositif peut également comprendre une couche tampon (312) en contact avec la couche de passivation (308, 310) et une couche (314) alpha-tantale de compression en contact avec, et à réseaux appariés avec la couche tampon (312).
La partie tampon comprend une partie de contact qui entre en contact avec une aréole ; une partie adhérente qui adhère au sein, etc.
L'invention concerne une mémoire tampon qui comporte une première entrée de mémoire tampon, une seconde entrée de mémoire tampon, et une sortie de mémoire tampon.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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