L'invention concerne un boîtier semiconducteur comprenant un composant bidirectionnel dans un composé semiconducteur et deux dispositifs de puissance à semiconducteur reliés selon une configuration cascode.
L'invention concerne des procédés de production d'un monocristal de composé semiconducteur et d'un élément de composé semiconducteur, permettant de former un motif spécifié sans avoir à recourir à de nombreuses opérations.
De même, une deuxième couche à semiconducteur composé, présentant des propriétés analogues à la première, peut être formée par-dessus cette couche de capteur.
Le matériau semiconducteur composé de GaN est appliqué par dépôt vapeur.
Une couche modèle monocristalline (30) du semiconducteur composé est ensuite déposée sur la couche tampon, et une couche épitaxiale (32) du semiconducteur composé est formée sur la couche modèle.
Une structure de dispositif comprenant un semiconducteur composé peut être formée dans la couche épitaxiale.
Procede de dorage de surfaces metalliques fixees electriquement sur un semiconducteur compose.
L’élément semi-conducteur composé englobe l’électrode et la couche semi-conductrice composée de type p.
Il est prévu un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur composé convenant à la fabrication d’un élément semi-conducteur composé de fortes caractéristiques électriques.
La couche de semi-conducteur composé (103) présente une énergie de bande de conduction supérieure à celle de la couche de semi-conducteur composé (104).
La présente invention a trait à une composition de particules de semi-conducteur composé de chalcopyrite qui permet d'augmenter l'efficacité de conversion photoélectrique d'un film semi-conducteur composé.
La première cellule de conversion photoélectrique à semi-conducteur composé (40a) et la couche tampon de semi-conducteur composé (41) sont placées en des positions adjacentes.
La présente invention concerne un semi-conducteur à composé Ga-Al-In-P (gallium - aluminium - indium - phosphore) et le procédé de production correspondant.
Cette plaquette à semi-conducteurs composée est une plaquette à semi-conducteurs comprenant des éléments des Groupes III-V tels que l'arséniure de gallium (GaAs).
La présente invention concerne un traitement conçu pour nettoyer une plaquette à semi-conducteurs composée.
Ces dispositifs à semi-conducteurs optiques sont formés à partir de structures semi-conductrices composées.
L'invention concerne un ensemble compact semiconducteur II-VI et son procédé de réalisation.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs pourvu d'un élément semi-conducteur composite unipolaire et d'un élément semi-conducteur de dérivation qui est connecté par l'extérieur en parallèle à l'élément semi-conducteur composite.
Une couche semi-conductrice compacte (100) est configurée d'après une partie semi-conductrice compacte (11) composée d'un matériau semi-conducteur compact, et d'une partie polymérique organique (12) composée d'un matériau polymère organique.
L'invention porte sur un substrat (10) semi-conducteur composite.
L'invention concerne une tranche semi-conductrice composite utilisée pour fabriquer des puces à semi-conducteur, en particulier des dispositifs à semi-conducteurs composés.
Les îlots de matériau semi-conducteur en silicium peuvent être formés dans le substrat semi-conducteur (201) composé par gravure de puits dans ledit substrat semi-conducteur (201) composé avant de former les différentes couches.
La présente invention concerne une pile solaire à composé semi-conducteur en tandem.
La présente invention convient, en particulier, à des couches semiconductrices renfermant un semiconducteur à base de composé nitruré.
Le milieu de gain comprend un matériau semi-conducteur composite.
Ces dispositifs (3840, 3850, 3860, 3870) sont faits de structures composées de semi-conducteurs.
Circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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