Après ses angles ont été biseauté, garantissant un ajustement soigné avec le cas, le cristal de saphir est polie chimiquement sur les deux côtés.
L'invention concerne également un procédé de fabrication desdites endoprothèses.
La présente invention concerne des endoprothèses métalliques cimentables présentant des zones servant à l'ancrage dans le ciment, polies de façon électrochimique ou chimique.
Les facettes sont polies de manière chimico-mécanique ou mécanique.
La surface peut être soit dérivée d'une fusion, soit polie, et/ou renforcée chimiquement ou thermiquement.
Un substrat fait d'une première couche (16) sur laquelle est déposée une seconde couche (14) subit un polissage chimio-mécanique.
On effectue un polissage mécano-chimique de la tranche pour enlever le matériau conducteur excédent depuis la surface supérieure de la couche isolante et pour former des lignes conductrices.
Chimiquement, le matériau est très résistant et peut être facilement poli.
Le gadoue amorce le procédé du polissage par la réaction chimique avec le filmer polissé.
L'électrode inférieure (U) est obtenue par dépôt d'un matériau conducteur puis polissage chimico-polissage des rugosités.
La présente invention a trait à un agent de polissage permettant de polir chimiquement et mécaniquement une surface devant être polie dans le cadre de la production d'un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur.
La présente invention concerne une composition et un procédé de nettoyage des contaminants sur la surface d'une plaquette de semi-conducteurs après le polissage chimio-mécanique de la plaquette.
Les biocéramiques comme l`alube et la zircone sont des matériaux durs et chimiquement inertes qui peuvent être polis à une finition élevée (ici).
L'augmentation du rôle du polissage chimique peut être accomplie par la création d'une suspension aqueuse de polissage (5), contenant des composants interagissant chimiquement avec la surface (1) à polir.
Ladite plaquette est polie chimiquement et mécaniquement (CMP) sur son côté Ga, au moyen d'un liquide chargé CMP comprenant des particules abrasives telles que la silice ou l'alumine, et un acide ou une base.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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