Une portion finale supérieure du film de semiconducteur à oxyde est courbe lorsqu'elle est observée dans le sens de la largeur d'un canal.
Le FET à canal N présente une largeur de canal N. Le FET à canal P présente une largeur de canal P. La largeur de canal P est supérieure à la largeur du canal N afin d'augmenter la linéarité de la résistance à l'état passant de la bascule obtenue.
Le FET à canal N présente une largeur de canal N. Le FET à canal P présente une largeur de canal P. La largeur de canal P est supérieure à la largeur du canal N afin d'augmenter la linéarité de la résistance à l'état passant de la bascule obtenue.
Le second composant transistor de fixation de niveau contre les décharges ESD présente une seconde largeur de canal différente de celle de la première largeur de canal.
La largeur de canal effective d'un transistor correspondant est sensiblement égale à une largeur de face supérieure de canal plus deux fois une largeur de face latérale formée par les évidements d'isolation (908).
L'augmentation des niveaux de CCA pour qu'ils soient basés sur la largeur de canal de transmission souhaitée permet d'accroître la probabilité de transmission sur une grande largeur de canal.
Le champ d'informations de fonctionnement TVHT comprend des sous-champs numéro de canal primaire, largeur de canal, fréquence centrale de canal segment 0 et fréquence centrale de canal segment 1.
L'invention concerne un FinFET à canal étroit présentant une largeur de canal inférieure à 6 nm.
Dans un tel mode de réalisation, un FET ayant une grande longueur de canal et une grande largeur de canal est obtenu.
Lorsqu'il a accès au support, le dispositif effectue une CCA sur un canal secondaire et détermine ainsi une largeur de canal TX finale.
Dans un tel mode de réalisation, le FET a une grande largeur de canal.
Cette invention se rapporte à un transistor ayant une largeur de canal W, et une longueur de canal L, définies par des électrodes non rectangulaires.
Le dispositif émet des signaux radioélectriques à l'aide de la largeur de canal TX finale et d'une densité de puissance spectrale TX, qui est ajustée pour correspondre à la largeur de canal TX souhaitée.
Le transistor à effet de champ (23a,...23n) du canal N se trouvant dans chaque étage inverseur (21a...21n) présente une largeur de canal inférieure à un facteur prédéterminé (K) multiplié par la largeur du canal N de l'étage immédiatement précédent.
La hauteur du canal est au moins égale à la hauteur maximale d'abaissement d'un bateau de grande taille, et la largeur du canal est au moins égale à la largeur maximale d'un bateau de grande taille.
Sélectionnez la largeur de canal appropriée entre 20MHz ou Auto 20/40MHz dans le menu déroulant.
Sélectionnez la largeur de canal appropriée entre 20MHz ou Auto 20/40MHz dans le menu déroulant.
La présente invention concerne une structure de transistor à couches minces présentant une grande largeur de canal.
Le premier composant transistor (230) de fixation de niveau contre les décharges ESD présente une première largeur de canal.
La piscine à vagues comporte un canal de piscine continu présentant des parois latérales, de multiples coins présentant un rayon une largeur de canal préférés, et un fond de canal profilé.
L'ensemble de la zone active de polarisation (ABC) comprend au moins un canal de transistor (C) qui présente une largeur de canal (W) et une longueur de canal (L).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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