Entre la couche d'injection de porteurs et la couche électroluminescente est intercalée une couche de dispersion des porteurs qui présente une résistance inférieure à celle de la couche d'injection de porteurs.
L'invention concerne un dispositif électroluminescent organique à injection de porteurs améliorée.
Ce composant à semiconducteur à film mince présente un bon rendement d'injection de porteurs.
La mémoire flash exécute des opérations de programmation et d'effacement du type NAND par l'injection de porteurs chauds.
La présente invention concerne une mémoire flash utilisant l'injection de porteurs chauds, ainsi qu'un procédé de fonctionnement de cette mémoire.
Ceci provoque l'injection de porteuses de charge dans la structure de piégeage.
La structure de blindage auto-alignée obtenue permet de minimiser l'augmentation des capacités d'entrée et de sortie, et de réduire l'injection des porteurs chauds et les décalages associés, ce qui permet d'améliorer la fiabilité du transistor.
La conductance peut être induite, électriquement, par une injection de porteuse ou optiquement, par génération d'une paire électron-trou.
L'invention porte sur un procédé de prévention de l'injection de porteuses à vif dans des connexions entrée/sortie sur des circuits intégrés basse tension.
De plus, l'alimentation intensité/tension de chaque point ou groupe de points d'injection de courant peut être réglée séparément, ce qui accroît la possibilité de contrôle de l'injection des porteuses.
L'injecteur de charge fournit des porteurs destinés à injecter des porteurs chauds de substrat sur une grille flottante (28b).
L'invention concerne entre autres choses un dispositif (10) permettant de générer un rayonnement électromagnétique.
PN Junction Plus tension inverse, peu de transporteurs sont difficiles à injecter, ne brillent donc pas.
Je pourrais décrire l'injection de porteurs minoritaires mais je ne savais pas à quoi ressemblait un transistor.
PN Junction Plus tension inverse, peu de transporteurs sont difficiles à injecter, ne brillent donc pas.
Le procédé susmentionné de l'invention permet d'augmenter l'injection de porteuses de charge et d'accroître le rendement lumineux, ce qui améliore la luminescence émise.
Les propriétés d'effet tunnel des matériaux diélectriques et les propriétés d'injection de support des métaux peuvent être adaptées de sorte à développer des propriétés souhaitées dans les diodes.
Chaque cellule de mémoire peut comprendre une première région couplée à une ligne de source et une seconde région couplée à une ligne d'injection de porteurs.
Cependant, le dispositif peut résister à des densités de courant extrêmement élevées du fait de la modulation de conductivité causée par l'injection d'un porteur minoritaire à partir des régions de type p.
L'invention concerne un système de mémoire de circuit intégré et un procédé connexe utilisés pour la programmation de précision, par injection d'éléments porteurs chauds, d'une ou de plusieurs cellules de mémoire non volatile.
Puisque l'épaisseur totale de la première et de la seconde couche de InGaN non dopé est de 20 nm ou moins, l'efficacité de l'injection de porteuse peut être augmentée.
A cause de ceci, l'interface entre la couche de transport de trous (3) et la couche luminescente (4) présente une forte adhérence et une forte aptitude pour l’injection de porteurs.
Le dispositif ainsi obtenu est moins exposé aux effets dommageables de l'injection à chaud, avec, dans le temps, un moindre décalage de la tension de seuil et une perte maximum réduite de courant.
Dans une variante, le dopage de tore est accru dans les zones du canal et du drain, en vue d'augmenter l'injection des porteurs chauds et de réduire la tension du drain aux fins de programmation.
La couche d'oxyde à effet tunnel placée entre l'émetteur et la base sert de résistance variable et constitue également une bonne jonction pour l'injection de porteurs de charge à partir de l'émetteur.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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