La couche de carbone (42) se compose d'une pellicule amorphe de carbone (70) pulvérisée sur une couche magnétique (70) ainsi que d'une pellicule amorphe et dopée de carbone (72) pulvérisée sur la pellicule amorphe de carbone (70).
De plus, le film en carbone est, de préférence, à base d'un carbone du type diamant.
L'invention concerne un film de carbone amorphe comprenant du carbone et de l'hydrogène.
Les films d'alignement comprennent une couche déposée de carbone amorphe, un film de carbone amorphe hydrogéné ou un film de carbone hydrogéné sous forme de diamant (CDA).
L’invention concerne un film de carbone contenant de l’hydrogène ayant des propriétés innovantes, telles que la prévention efficace du décollement du film de carbone contenant de l’hydrogène d’un substrat sur lequel il est formé.
Ledit film de carbone (3) contient un carbone ayant des liaisons SP2 et des liaisons SP3.
L'invention porte sur un appareil de formation de film de carbone sous forme de diamant amorphe et sur un procédé pour former un film de carbone sous forme de diamant amorphe.
Film de carbone (703) utilisé pour une cathode à émission de champ, qui est constitué d'une couche d'un mince film de carbone appliquée sur un substrat (803).
Chaque film de carbone est dirigé vers la cible anodique.
Selon l'invention, un film à dépôt CDA contenant du tungstène comprend une base de carbone amorphe d'un type de film et du tungstène ajouté à ladite base dans un état atomique.
L'outil revêtu de carbone amorphe comporte un matériau de base et un film de carbone amorphe.
Article recouvert d'une couche mince de carbone de type diamant, laquelle couche mince adhère remarquablement au corps de l'article.
La présente invention concerne d'une manière générale un film de carbone et en particulier un film de carbone servant d'électrode dans des dispositifs électrochimiques.
On forme ainsi un film de carbone comportant du fluor.
La présente invention concerne un procédé de formation de film de carbone, qui consiste à former un film de carbone sur un substrat suivant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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