Le procédé comprend le dépôt d'une couche de forme sur une couche d'oxyde conductrice transparente, la couche de forme comprenant du magnésium élémentaire, un alliage de magnésium, un oxyde de magnésium binaire, ou des combinaisons de ces éléments.
Le procédé comprend en outre le dépôt d'une couche fenêtre sur la couche de forme, et la formation d'une couche intermédiaire entre la couche d'oxyde conductrice transparente et la couche fenêtre, la couche intermédiaire comprenant du magnésium.
Au-dessus de la couche libre, est fournie une sous-couche.
Au-dessus de la couche libre, est fournie une sous-couche.
Un système composite comprend une couche de base, une sous-couche, et au moins une couche de géocellule centrale.
L'empilement de cathodes comporte une couche d'injection d'électrons, une sous-couche et une couche getter.
Une couche diélectrique de grille est formée sur la sous-couche de semi-conducteur sur la surface supérieure d'un corps semi-conducteur et est formée sur la sous-couche sur les parois latérales du corps semi-conducteur.
La couche de recouvrement comprend un matériau de couche de recouvrement et est située sur la couche d'adhérence.
Le procédé peut également comprendre la fixation de la première couche de recouvrement à une seconde couche de recouvrement.
On grave ensuite par pulvérisation une couche de recouvrement de manière à enlever la couche de recouvrement et exposer le conducteur métallique (14).
En variante, le composant peut également comprendre une région de couche de couronnement ou peut également comprendre une région de couche réfléchissante et une région de couche de couronnement de protection.
Le procédé comprend la formation d'une couche de coiffage et d'une couche d'isolant.
La seconde couche de recouvrement métallique protège la première couche de recouvrement diélectrique en l'empêchant d'être retirée (soit entièrement, soit partiellement) pendant des étapes de traitement ultérieures.
La couche diélectrique est déposée de manière à exposer la couche de recouvrement.
Le revêtement peut également comprendre une couche de recouvrement disposée sur la couche d'argent.
La couche libre est positionnée entre la couche barrière et la couche de revêtement en magnésium (Mg).
La couche de recouvrement est en contact avec de l'hydrogène.
L'ensemble est recouvert d'une couche de couverture (56).
Selon une modification avantageuse dudit procédé, un système (4) de couche de recouvrement comportant au moins une couche partielle peut également être déposé sur la couche absorbante (3), au lieu d'une couche de recouvrement non dopée.
Les nanomatières comprennent une couche de couverture qui conduit à en une couche de mouillage réduit.
Le dispositif MTJ comprend une couche barrière, une couche libre et une couche de revêtement en magnésium (Mg).
L'invention concerne un procédé pour réaliser une couche d'encapsulation en résine synthétique sur un circuit imprimé, ladite couche présentant une variation de ses propriétés mécaniques dans une direction perpendiculaire à ladite couche.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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