La présente invention concerne un amplificateur à circuit intégré monolithique possédant un étage de gain (202) et un étage séparateur (210).
L'étage séparateur comprend un étage de sortie et deux alimentations en tension séparées (+Vlo, +Vhi), la deuxième possédant une plus grande intensité que la première.
Ensuite, le dispositif de circuit intégré (2) est placé au centre de la partie renfoncée (502c) de l’étage séparateur (502a).
Un étage séparateur est couplé à une sortie de l'amplificateur opérationnel et génère des troisième et quatrième tensions sur le premier et le deuxième chemin.
L'étage affaiblisseur (350) peut affaiblir un signal filtré par l'étage de filtre (340).
Le second étage affaiblisseur (370) peut affaiblir un second signal filtré par le second étage de filtre.
Le premier étage tampon est conçu pour recevoir des données de commande du second étage tampon, lesquelles données de commande influencent le transfert des informations suivantes entre le premier et le second étage tampon.
L'invention porte sur un oscillateur commandé par tension (VCO) qui comprend un tampon de sortie ayant un premier étage de tampon comprenant un premier transistor et un second étage de tampon comprenant un second transistor.
L'étage tampon comprend un circuit tampon couplé entre les étages d'entrée et de sortie.
L'amplificateur peut en outre comprendre un second étage de filtre (360) et un second étage affaiblisseur (370).
Selon une configuration, l'amplificateur peut comprendre un étage de gain (330), un étage de filtre (340) et un étage affaiblisseur (350).
Cela permet, en outre, de réduire le temps de transmission du second étage tampon.
L'amplificateur de puissance comprend un étage d'amplificateur opérationnel, au moins un étage de tampon et un étage de sortie qui sont connectés consécutivement les uns aux autres.
Par conséquent, il est possible de réduire la capacité de tamponnage maximum nécessaire du second tampon sans risque de perte de données pour cause de débordement.
Un étage tampon de sortie est disposé entre la borne de sortie de l'étage de conversion de tension et la borne d'entrée de l'étage de sortie haute tension.
Selon cette invention, un circuit multiplexeur faible puissance haut débit fortement isolé comprend un étage tampon (202) et un étage d'arbre de direction de courant.
Procédé et dispositif de conversion de signaux simples en signaux différentiels, comprenant un étage simple-différentiel (22), un étage d'équilibrage des phases (24) et un étage tampon (26).
Un circuit de filtrage comprend un premier étage de filtrage isolé comprenant un premier étage de filtre à facteur de qualité insuffisant pour recevoir un signal d'entrée et un premier étage tampon d'amélioration du facteur de qualité.
Ce circuit peut également comprendre un étage tampon facultatif qui permet de d'affiner les transitions des flancs du signal de synchronisation interpolé.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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