Un retard (22) est compris entre la fin de l'attaque de RF par impulsions et le début d'une impulsion de polarisation, et ce pour permettre à la population d'électrons (29) de baisser à zéro (ou presque).
Ce processus peut être répété jusqu'à l'obtention d'une épaisseur adéquate.
Dans un autre mode de réalisation, la tension de polarisation ou la durée de l'impulsion de polarisation peuvent être modifiées pour changer l'importance de cristallisation atteinte.
Une impulsion de polarisation inverse capable d'induire une transmission tunnel d'une bande à l'autre au niveau d'une jonction dans la structure des cellules de la mémoire flash, est appliquée à une première jonction.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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