les équipements utilisés pour la radiothérapie externe par faisceau dont l'énergie de faisceau nominale est supérieure à 1 MeV soient munis d'un dispositif permettant de vérifier les paramètres importants liés au traitement.
La présente invention concerne un système (110) de distinction de la menace inhérente à différents faisceaux d'énergie, adapté pour être utilisé avec l'énergie (134) des faisceaux laser.
Un motif initial d'énergie (14) du faisceau laser est mis en forme par un élément de façonnage (22) de faisceau laser aux fins d'obtention d'un motif d'énergie de faisceau laser (12) à courbure cohérente.
énergie de faisceau (tension d'accélération) de plus de 1 MeV
énergie de faisceau (tension daccélération) de plus de 1 MeV
énergie de faisceau (tension d'accélération) de plus de 1 MeV
énergie de faisceau (tension d'accélération) de plus de 1 MeV
énergie de faisceau (tension d'accélération) de plus de 1 MeV
Un circuit atténuateur (457) destiné à l'énergie du faisceau et un circuit modulateur (457') destiné à la séquence de commutation du faisceau permettant de commander l'état d'émission du faisceau.
Des paramètres quantifiables d'une source de chaleur (par exemple, les caractéristiques énergétiques d'un faisceau laser et la géométrie du faisceau) sont également identifiés.
L'invention concerne un appareil et un procédé de contrôle de faisceau ionique destinés à contrôler un niveau d'expansion d'énergie d'un faisceau ionique et une taille de faisceau ionique dans une direction radiale mobile.
Le procédé et le dispositif font intervenir un faisceau laser dont la densité d'énergie est inférieure au seuil d'ablation d'énergie supérieure, et supérieure ou égale au seuil d'ablation d'énergie inférieure.
énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé
énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé
énergie de faisceau dau moins 65 keV et courant de faisceau dau moins 45 mA pour une implantation à haute énergie doxygène dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé
énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод