Une région barrière (110) recouvre ladite région.
La zone active (20) est disposée entre la première zone barrière (21) et la seconde zone barrière (22).
Chaque région formant barrière comprend un transistor de barrière (T4, T5) ainsi qu'au moins une connexion de substrat connectant le transistor de barrière à au moins une région flottante du substrat adjacente à la région formant barrière.
Une région d'alliage (112) recouvre la région barrière.
La région de barrière de dispositifs à couplage de charge (32; 132) contient la même concentration d'impuretés que la région de barrière de débordement (40; 140) de sa phase respective et peut être connectée à la région de barrière de débordement.
L'addition d'un puits N dans la région de barrière améliore les propriétés d'isolation de la région de barrière en réduisant ou en éliminant la région P-EPI neutre dans la zone de pixels de barrière en dessous de la région d'isolation à puits N.
Les pores de la deuxième zone de barrière de diffusion (142) sont plus petits que ceux de la première zone de barrière de diffusion (138).
La zone de barrière de diffusion vise à empêcher la diffusion du premier matériau électriquement conducteur à travers la zone de barrière de diffusion.
Une couche hydrophobe est formée dans la zone hydrophobe située dans la plaque poreuse.
Une région d'arrêt dopée plane d'un matériau semi-conducteur est couplée à un vide ou à une région gazeuse pour assurer une émission d'électrons depuis ladite région d'arrêt jusque dans le vide ou la région gazeuse.
Ce passage d'entrée de gaz (124) comporte au moins une barrière de diffusion (130) présentant, au moins une première zone de barrière de diffusion (138), et au moins une deuxième zone de barrière de diffusion (142).
La zone barrière de jonction de type p comprend une zone de polysilicium de type p formant une hétérojonction p-n avec la zone de dérive, et la zone barrière de jonction de type p est connectée électriquement au contact.
La zone barrière de jonction de type p comprend une zone de polysilicium de type p formant une hétérojonction p-n avec la zone de dérive, et la zone barrière de jonction de type p est connectée électriquement au contact.
Une région de barrière de dispositifs à couplage de charge (32; 132) s'étend à travers la région de canaux dans chaque phase.
L'invention concerne un détecteur infrarouge (10) comprenant une partie détecteur (38) et une partie collecteur séparées par une partie barrière.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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