Ainsi, le claquage par avalanche au niveau de ces sections est supprimé et la résistance au claquage est par conséquent améliorée.
Cela permet d'éviter l'apparition d'un claquage par avalanche dans le composant électrique (1).
Quand la polarisation s'inverse juste en dessous du claquage par avalanche, le dispositif agit comme un détecteur de lumière.
L'invention concerne un dispositif latéral à semi-conducteur présentant une région verticale destinée à fournir une protection contre un claquage par avalanche (PAB, Protective Avalanche Breakdown).
Il s'ensuit une compression de champ et un champ de claquage par avalanche sur le reste de la distance du bloc semiconducteur.
La diode est alors polarisee a un niveau de tension superieur au niveau de seuil de rupture en avalanche de sorte que, en recevant un photon, la rupture en avalanche se produit.
La première diode et une diode de rupture en avalanche dont la tension de rupture en avalanche est inférieure ou environ égale à une tension de coupure associée à la base et au collecteur du transistor bipolaire.
Cette rupture est detectee par un reseau de circuit approprie (20) qui reduit alors le potentiel de polarisation de la diode en le ramenant a un niveau inferieur au niveau de seuil de rupture en avalanche pour mettre fin aux conditions d'avalanche.
L'invention concerne des procédés et dispositifs pour pannes en avalanche dans une cellule solaire à film mince.
Cependant, de nombreuses diodes décrites comme des diodes «Zener» reposent plutôt sur la dégradation des avalanches.
Cependant, de nombreuses diodes décrites comme des diodes «Zener» reposent plutôt sur la dégradation des avalanches.
Lorsque la tension de rupture de polarisation inversée est dépassée, une diode conventionnelle est sujette à un courant élevé en raison de la panne d`avalanche.
Les deux types de décomposition sont utilisés dans les diodes Zener avec l`effet Zener prédominant sous 5,6 V et la décomposition des avalanches ci-dessus.
Lorsque la tension de rupture de polarisation inversée est dépassée, une diode conventionnelle est sujette à un courant élevé en raison de la panne d`avalanche.
L'effet d'avalanche est un phénomène qui peut se produire dans des matériaux isolants et semi-conducteurs.
L'effet d'avalanche est un phénomène qui peut se produire dans des matériaux isolants et semi-conducteurs.
Effet d'avalancheL'effet d'avalanche est un phénomène qui peut se produire dans des matériaux isolants et semi-conducteurs.
Cependant, de nombreuses diodes décrites comme des diodes «Zener» reposent plutôt sur la dégradation des avalanches.
L'effet d'avalanche est un phénomène qui peut se produire dans des matériaux isolants et semi-conducteurs.
L’effet d'avalanche est un phénomène qui peut se produire dans des matériaux isolants et semi-conducteurs.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод