La pression dans l'espace de formation de film est comprise entre 0,1 et 2,5 Pa, et le débit du gaz de composé de silicium organique est compris entre 230 sccm à 0°C et 1 atmosphère pour 1 m2/minute de la vitesse aréolaire du substrat.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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