L'invention concerne un procédé de nettoyage d'une chambre de dépôt permettant un dépôt sur une grande surface.
L'invention porte sur un dispositif de dépôt de grande surface pour prévention de mélange de gaz.
L'invention concerne un procédé de nettoyage d'une chambre de dépôt permettant un dépôt sur une grande surface.
Cette zone (687) est approximativement égale à la zone de dépôt (601) du substrat.
Pour contrôler la qualité et la vitesse de dépôt du matériau précurseur sur le substrat, on agit sur la surface de fixation de l'arc à l'anode, dont la réduction peut accroître la vitesse de dépôt.
L'invention porte sur un dispositif de dépôt de grande surface pour prévention de mélange de gaz.
La proportion de la zone de dépôt occupée par les régions catalytiques (12) est supérieure à la proportion de la zone de dépôt qui est sensiblement exempte de matière catalytique (13).
Il comprend une zone de stockage, une zone de dépôt (7), un cylindre (1 ) à base circulaire adapté pour déposer et compacter le matériau pulvérulent (14), ce dernier ayant été au préalable amené d'une zone de stockage à une zone de dépôt (7).
L'appareil comprend un premier compartiment de sublimation positionné sur une première zone de dépôt dudit appareil et un second compartiment de sublimation positionné sur une seconde zone de dépôt dudit appareil.
La hauteur du point de déchargement est modulée de manière à ce qu'une hauteur de chute maximale ne soit pas dépassée.
L'invention concerne une pale de rotor destinée à une éolienne, cette pale comprenant un nez au niveau duquel est disposé un système de détection de dépôts.
Différentes techniques de dépôt sont utilisées, notamment dépôt chimique en phase vapeur, dépôt par laser pulsé et dépôt de couche atomique.
Cette technique de filtrage permet de séparer du courant d'ions (56) les macroparticules sans compromettre sensiblement la zone de dépôt, la vitesse de dépôt, l'efficacité du transport d'ions et/ou l'uniformité du revêtement.
Le matériau de dépôt, qui adopte généralement la forme d'un fil, est avancé jusqu'à une zone de dépôt localisée (4) au niveau de laquelle il est ajouté au composant (1) devant être fabriqué.
Ledit revêtement est mis en place par dépôt par voie autocatalytique, pulvérisation cathodique, dépôt par couche atomique, dépôt en phase vapeur par procédé chimique ou dépôt en phase vapeur par procédé physique.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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