L'invention concerne un module anti-fusible dans lequel un élément anti-fusible ne fond pas lorsque le module anti-fusible est monté.
Concernant un antifusible à transistor programmable, la grille de l'antifusible est préchargée par une tension et/ou un courant prédéterminé, puis on évalue l'antifusible.
L'invention concerne une structure de fusible/anti-fusible dans laquelle la programmation de l'anti-fusible est provoquée par une proéminence induite par électromigration qui est formée adjacente à l'élément de fusible.
Lorsqu'un antifusible est utilisé, celui-ci peut court-circuiter un film isolant par application d'une tension excessive.
Ledit matériau de protection, ainsi que les éléments d'écartement permettent de répartir plus exactement les tensions de programmation dans la structure anti-fusion et d'empêcher les défaillances de la fonction anti-fusion.
Comme avantage supplémentaire par rapport à des éléments antifusibles grillés actuels, l'élément antifusible grillé est plus difficile à détecter.
Un élément de mémoire de la cellule binaire NVM peut être un fusible, un anti-fusible, un fusible électronique ou une jonction tunnel magnétique.
Une cellule de mémoire comprend une diode PIN et un anti-fusible.
Une couche isolante (40), formée au-dessus de la couche antifusible (38), comporte un trou traversant (42) qui s'étend jusqu'à ladite couche antifusible (38).
Cette tension négative est transférée à une plaque d'anti-coupe-circuit, l'autre plaque de ce dispositif recevant une tension positive depuis une source extérieure.
La présente invention a trait à une cellule de mémoire anti-fusible dotée d'un oxyde de grille à épaisseur variable.
L'invention concerne l'évaluation d'un élément antifusible programmable.
Procédé permettant d'enlever la matière excédentaire d'espacement dans les traversées de liaison et les zones découvertes d'une structure anti-fusible sans amincir la couche anti-fusible de ces traversées par une attaque excessive.
L'invention concerne des circuits qui utilisent des bascules fusible et anti-fusible (62) pour sélectionner le numéro des canaux d'entrée/sortie (98, 109) après l'encapsulation.
Une région anti-fusible est couplée à la plage et au sol.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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