L'étape de dépôt et de gravure d'un matériau de dépôt par rotation peut être répétée plusieurs fois.
The step of depositing and etching a spin-on material can be repeated several times.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Par ailleurs, cette composition de masque dur peut être appliquée immédiatement par des techniques de dépôt par rotation.
In addition, the hardmask composition can be readily applied by spin-on application techniques.
chimie - wipo.int
Les matériaux de dépôt par rotation protègent la couche diélectrique intercouche qui entoure la MTJ.
The spin-on materials protects the interlayer dielectric layer that surrounds the MTJ.
électronique et électrotechnique - wipo.int
L'invention concerne un appareil de dépôt par rotation, qui comprend un masque de dépôt configuré pour être agencé à proximité d'un substrat cible.
A spin deposition apparatus includes a deposition mask configured to be arranged proximate a target substrate.
industrie mécanique - wipo.int
La couche semi-conductrice organique (112) est formée à l'aide de techniques de dépôt par rotation et de certains solvants.
The organic semiconductor layer (112) is formed using spin-on techniques with the assistance of certain solvents.
informatique et traitement des données - wipo.int
Le composant principal du matériau de remplissage est un verre à dépôt par rotation pouvant être enlevé facilement par un décapant, n'endommageant pas la couche isolante intercouche.
The main component of the filler is a spin-on glass material that can be easily removed by a stripper that does not damage the interlayer insulating layer.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Une première couche diélectrique est appliquée sur la surface arrière de la tranche de silicium au moyen d'un procédé de dépôt par rotation.
A first dielectric layer is applied to the rear surface of the silicon wafer using a spin-on process.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Une première couche diélectrique est appliquée sur la surface arrière de la tranche de silicium au moyen d'un procédé de dépôt par rotation.
A first dielectric layer is applied to the rear surface of the silicon wafer using a spin-on process.
électronique et électrotechnique - wipo.int
La formulation pour dépôt par rotation est appliquée à une résine photosensible à implantation ionique et cuite pour former une résine photosensible modifiée.
The spin-on formulation is applied to an ion implanted photoresist and baked to form a modified photoresist.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Un procédé de fabrication plus général de transistors en couches minces sur une couche en matière plastique à dépôt par rotation est également décrit.
A more general manufacturing method is also disclosed for fabricating TFTs on a spin-on plastic layer.
sciences naturelles et appliquées - wipo.int
L'invention concerne de manière spécifique un électret obtenu par dépôt par rotation d'une composition de polymère fluorée afin de recouvrir un substrat de cuivre et par cuisson du substrat de cuivre recouvert.
Specifically disclosed is an electret obtained by spin coating a fluorine-containing polymer composition for coating over a copper substrate and firing the coated copper substrate.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Ces compositions présentent des propriétés, optiques, mécaniques et de sélectivité de gravure exceptionnelles, et peuvent être appliquées au moyen de techniques de dépôt par rotation.
These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques.
communication - wipo.int
Procédé permettant l'application de verre à dépôt par rotation (SOG) sur un substrat recouvert d'un matériau non réfractaire à bas point de fusion tel que l'aluminium.
A method is disclosed for applying spin-on glass (SOG) to a substrate over low-melting point, non-refractory materials such as aluminum.
électronique et électrotechnique - wipo.int
L'invention concerne la formation d'une couche de matériau diélectrique inter-couche de premier niveau à l'intérieur d'un transistor non planaire qui peut être formée par une technique de dépôt par rotation suivie d'oxydation et de recuit.
The present description relates the formation of a first level interlayer dielectric material layer within a non-planar transistor, which may be formed by a spin-on coating technique followed by oxidation and annealing.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Une couche d'isolation et de protection (17) à base d'un matériau de verre à dépôt par rotation, est agencée dans la région de canal (C) de la couche semi-conductrice en oxyde (13a).
A protective insulating layer (17) of a spin-on glass material is provided on the channel area (C) of the oxide semiconductor layer (13a).
électronique et électrotechnique - wipo.int
