Dictionnaire français - anglais

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
On mesure le courant de fuite de jonction provenant de deux couches de déplétion, à savoir une couche de déplétion (8) dans le puits (5) et une couche de déplétion (4) au niveau de l'interface entre la couche EP (2) et le substrat EP (1).

Junction leakage current from two depletion layers, a depletion layer (8) in the well and a depletion layer (4) at the interface between the EP layer (2) and the EP substrate (1), is measured.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Une grille isolée (16) commande la position et l'épaisseur de la couche de déplétion.

An insulated gate (16) controls the position and thickness of the depletion layer.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Lorsque le semi-conducteur est à l'état bloquant, le corps (16) porte une couche de déplétion (50).

In an off-state of the device, the body portion (16) carries a depletion layer (50).

électronique et électrotechnique - wipo.int
Une couche spécifique est disposée sur la partie inférieure de la tranchée et elle présente la caractéristique de former une couche de déplétion au niveau d'une jonction entre la couche spécifique et la région de dérive.

A specific layer is disposed on a bottom of the trench, and it has a characteristic of forming a depletion layer at a junction between the specific layer and the drift region.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Le transducteur se révèle actif uniquement à proximité d'une des deux couches limites du fait de la présence d'une couche de déplétion et d'une couche d'accumulation, qui de toute manière s'étendent uniquement à proximité d'une des surfaces limites.

The transducer is found to be active only in the vicinty of one of the two boundary layers as a result of the presence of a depletion layer and an accumulation layer, which in any case only extend in the vicinity of one of the boundary surfaces.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
Plasma depletion layer: event studies with a global model[1] The plasma depletion layer (PDL) is a layer on the sunward side of the magnetopause with lower plasma density and higher magnetic field compared to the corresponding upstream magnetosheath...
général - core.ac.uk - PDF: mhd.sr.unh.edu
Effect of quantum dotdeposition on the interfacialflatband potential, depletion layer in tio2 nanotube electrodes,and resulting h2 generation rates... By analyzing the interfacialproperties, the flatband potential, the depletion layer, the capacitance,and the impedance of the CdS/TiO2 photoelectrode, it canbe concluded that compared with pure TiO2 nanotube arraysthe CdS QD-modified arrays exhibited...
T.: plasma depletion layer: the role of the slow mode waves... The plasma depletion layer (PDL) is a layer on the sunward side of the magnetopause with lower plasma den-sity and higher magnetic field compared to their correspond-ing values in the upstream...
Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer widthThe relationship between response speed of a silicon n-well/p substratephotodiode and the depletion layer width has been investigated....
Depletion layer dynamics of polyelectrolyte solutions under poiseuille flow...reserved.Complex liquids flow through channels faster than expected, an effect attributed to the formation of low-viscosity depletion layers at the boundaries....
couche de déplétion
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
Effects of sulphurization time on cu2znsns4 absorbers and thin films solar cells obtained from metallic precursors... These results also show an increase of the depletion region width from approximately 90 nm–250 nm
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: recipp.ipp.pt
Defect engineering considerations for strained silicon substrates... However, additional leakage current is created by defects associated with the carbon-rich layer, when it is present in the depletion region of the junction....
Bias polarity-sensitive electrical failure characteristics of znse nanowire in metal–semiconductor–metal nanostructure ... Thus, the electrical breakdown behavior of the ZnSe NW was highly dominated by the cathode-controlled mode due to the high resistance of the depletion region of ZnSe NW at the reversely biased Schottky contact

Publications scientifiques

Some surface effects in porous fractals
... Nous construisons une liste de processus physiques statiques conduisant à ls variable : a) adsorption de billes de latex (portant une charge opposée à celle de la paroi) de rayons variables R = ls ; b) couche de déplétion dans le cas d'une solution de polymères, lorsque le polymère est repoussé par la paroi et implications en chromatographie d'exclusion; c) chaînes greffées ...
... We construct a tentative list of static physical processes leading to a variable ls : a) adsorption of latex spheres (of charge opposite to the wall) of different radii (R = ls); b) depletion layers in a polymer solution, where the polymer is repelled by the wall, with specific implications for gel permeation chromatography ; c) grafting of chains, in the...
général - core.ac.uk -
Charged grain boundaries in germanium
... Les effets d'écran dépendent fortement de la température et du taux de dopage : dans le germanium de type n, il apparait une couche de déplétion à basse température, avec une évolution graduelle vers une couche d'inversion à haute température....
... The electrostatic energy and the entropy stored in the screening layer are major factors in determining the occupancy of the boundary levels....
général - core.ac.uk -
10% efficiency cu2znsn(s,se)4 thin film solar cells fabricated by magnetron sputtering with enlarged depletion region width... The investigation of the solar cells with different Zn/Sn ratio in CZTSSe film discloses that the charge carrier concentration and depletion region width of the device is very sensitive to Zn/Sn ratio of CZTSSe layer....
général - core.ac.uk - PDF: eprints.qut.edu.au
Influence of depletion region width on performance of solar cell under sunlight concentration ... This interpretation declare that: increasing of minority carrier, np, recombination current Irecom in deplation region when sunlight concentration C increase,s due to the depletion layer widen because the increasing of drift electric field at the junction boundary correspond to population inversion phenomena which happens at the interfaces between the base region and the depletion region....
général - core.ac.uk -

Traductions en contexte français - anglais

Cette distance (13) augmente la largeur de la couche de déplétion de la jonction source-puits, ce qui permet aux courants de fuite de ne plus être dominés par les courants tunnel et de réduire le nombre associé de pixels blancs et le bruit à motif fixe.

The distance (13) increases the depletion layer width between the source and well junction, so that tunnel currents no longer dominate the leakage currents and the related number of white pixels and fixed pattern noise are reduced.

électronique et électrotechnique - wipo.int


1 milliard de traductions classées par domaine d'activité en 28 langues