L'invention concerne également des nanotubes semi-conducteurs dopés à large bande interdite et des procédés de synthèse.
Le dispositif peut être réalisé dans un matériau semi-conducteur à large bande passante comme le SiC.
Ledit matériau cathodique est un semi-conducteur à forte résistance disruptive, de structure rigide, à largeur de bande interdite élevée, notamment du diamant de type Ib.
Le dispositif peut être un dispositif semi-conducteur à bande interdite large tel qu'un transistor à effet de champ à jonction verticale SiC.
La structure semi-conductrice comprend un matériau semi-conducteur à large bande interdite dans lequel au moins un dispositif semi-conducteur est formé.
La présente invention a trait à des dispositifs optoélectroniques incorporant des points quantiques en tant que couche électroluminescente dans une hétérostructure inorganique à large bande interdite.
La seconde région est plus proche de la seconde jonction que du centre de la couche à large bande interdite.
Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large écart énergétique avec une largeur de bande de 3,26 eV, qui est beaucoup plus élevée que celle du silicium (Si) (=1,12 eV).
Le nanotube transmet un signal commandé par le signal optique à un commutateur électrique à semi-conducteurs à large bande interdite, qui établit ou coupe le courant.
La présente invention concerne des structures et des procédés permettant de produire des JFET à haute tension dans des matériaux à large bande, plus particulièrement du carbure de silicium.
Cela permet de produire un élément à semi-conducteur à large bande interdite qui offre une tension de claquage accrue sans augmentation de taille.
Les dispositifs peuvent être fabriqués à partir d'un matériau semi-conducteur à large bande interdite tel que du carbure de silicium (SiC), et peuvent être utilisés dans des applications à haute température et de forte puissance.
Les dispositifs peuvent être faits à partir d'un matériau semi-conducteur à bande interdite large tel que du carbure de silicium (SiC) et peuvent être utilisés dans des applications haute température et haute puissance.
Les chercheurs ont été en mesure de rendre la technologie beaucoup plus petite, en partie parce qu’ils utilisaient des dispositifs semi-conducteurs à large bande.
Par exemple, les semi-conducteurs à large bande interdite, les matériaux souples hautes performances, ainsi que les matériaux hybrides intelligents, présentent un grand intérêt pour l'industrie suédoise et européenne.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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