Ledit boîtier est conçu en tant qu'unité robinet fonctionnelle sous la forme d'un robinet sans brides.
On réalise une soupape à partir d'une tranche de silicium (20).
Une valve est formée par usinage d'une tranche de silicium (18) collée à une tranche de verre (2).
Ledit boîtier est conçu en tant qu'unité robinet fonctionnelle sous la forme d'un robinet sans brides.
La plaque (22) est usinée pour définir une vanne d'admission (36), une chambre (34) de pompe et une vanne de sortie (48).
La bride est déplacée à travers la sortie et dans le sas de transfert une fois que la seconde soupape est ouverte.
La pression de la chambre est ensuite réduite (235) par ouverture du robinet d'isolement et la tranche est traitée (240).
Vanne à guillotine unidirectionnelle avec conception « wafer » et une grande rapidité d’ouverture et de fermeture.
Une bride est adaptée pour être déplacée à travers la première soupape et à travers le boîtier d'adaptateur le long du trajet.
Les ensembles plaquettes comprennent une première plaquette, une seconde plaquette et une troisième plaquette.
Les ensembles plaquettes comprennent une première plaquette, une seconde plaquette et une troisième plaquette.
L'appareil (10) comporte une enceinte de traitement de tranches de semi-conducteurs renfermant une chambre (16) de manipulation des tranches reliée via une soupape d'isolement à une chambre (20) de traitement.
Un robinet-vanne comporte une pièce rapportée dans un paroi séparant l’enceinte de manipulation de plaquettes d’un des sas, et une chemise montée sur la pièce rapportée et faisant saillie dans l’enceinte de manipulation de plaquettes.
Ce robinet-vanne est caractérisé en ce que la largeur nominale et la longueur d'encombrement dudit corps (1) correspondent aux dimensions définies par les normes relatives aux robinets sans brides.
Une cassette (3) à plaquettes de type boîtier comporte un corps (31) avec un fond pourvu d'une soupape (5) généralement fermée.
Un système à platine de tranche actionne une platine de tranche (WST) qui retient une tranche (W) à l'aide d'un support de tranche (25) le long d'une base de tranche (BS).
Durant le traitement des plaquettes, on peut donc déterminer sur un socle de support de plaquettes la présence d'une plaquette, sa position, et son état, c'est-à-dire les dégâts qu'elles a subis.
L'invention concerne un ensemble support de tranche destiné à servir de support à une tranche lors de son polissage électrolytique et/ou de son placage par électrodéposition.
La pile de tranches (100) comprend une première tranche (OW1) appelée tranche optique et une deuxième tranche (SW) appelée tranche d'entretoise.
On attache alors la plaquette de circuits de support à la plaquette de capteurs et l'on sépare la plaquette de manipulation de la plaquette de capteurs.
Chacune des premières surfaces principales de la première et de la seconde tranche est reliée de manière que chaque structure de clapet de soupape ait un rapport prédéterminé avec une structure de siège.
La présente invention concerne un support de tranche adapté pour supporter une tranche semi-conductrice durant un processus de traitement thermique.
Les ensembles clavettes comprennent une clavette de base et une clavette réutilisable pouvant être couplée de façon ajustable à la clavette de base.
Selon ce procédé, un robot de transfert de tranches transporte une cassette de tranches sur la surface d'une feuille élastique d'un porte-tranche.
Selon l'invention, une structure de tranche (88) comprend une tranche de dispositif (20) et une tranche de couvercle (60).
L'invention porte sur un détecteur de lumière possédant une plaquette cathodique, une plaquette à cavité et une plaquette anodique.
La tranche pratiquement non conductrice de chaleur peut comprendre une tranche envers le dioxyde de silicium, qui est une tranche en verre d'oxyde de silicium ou une tranche en verre borosilicaté ou une tranche de silicium-germanium.
On monte le capuchon de plaquette sur la plaquette MEMS, afin d'obtenir une plaquette MEMS laminée.
Après implantation ionique, le robot de transfert retire la tranche du porte-tranche et la replace dans la cassette.
La présente invention concerne des procédés de liaison d'une plaquette à l'autre.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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