La première tension de seuil et la deuxième tension de seuil sont fixées par un circuit à tension constante.
Les transistors de couplage ont une tension de seuil moyenne et une tension de seuil maximale.
L'invention concerne un appareil de commande de tension de seuil pour commander la tension de seuil pour un comparateur de niveau.
Le circuit de protection présente un dispositif détecteur de seuil qui dérive une tension de seuil à partir d'une tension au niveau de l'atténuateur fixe.
Une tension aux bornes du condensateur est comparée à une tension de seuil de manière à générer un signal de comparateur si la tension aux bornes du condensateur excède la tension de seuil.
La seconde tension modifie linéairement la tension seuil intrinsèque pendant la programmation de sorte que la tension seuil programmée corresponde à la seconde tension (Fig. 1).
L'invention concerne un système de mémoire non volatile, comprimant la distribution de tension seuil en un état de tension seuil le plus bas tout en réduisant la fenêtre de tension seuil des données valides.
Un processus d'écriture applique une tension de porte de régulation (Vpp) qui fournit une tension seuil de saturation proche d'une tension seuil cible en cours d'écriture.
L'élément de pixel possède une tension seuil et une tension de modulation.
Lors de la phase de repos, la batterie se décharge pour passer d'une tension seuil supérieure (UOG) à une tension seuil inférieure (UUG).
Une tension maximale du premier boîtier est inférieure à un niveau de tension seuil, et une tension maximale du second boîtier est supérieure au niveau de tension seuil.
La deuxième tension est supérieure à la tension seuil d'activation du MOSFET.
Toutes les lignes de bits sont polarisées par une tension d'inhibition lorsque leur tension seuil atteint la tension seuil de vérification.
Une région fixant la tension de seuil est formée en positionnant un plan de décalage de la tension de seuil au-dessus de la région d'écran.
Ledit au moins un transistor présente une tension de seuil et reçoit une tension de polarisation.
Un comparateur compare la tension seuil d’une cellule de mémoire sélectionnée à sa tension cible, et empêche la poursuite de la programmation lorsque la tension seuil atteint ou dépasse la tension cible.
La cellule mémoire non volatile ainsi obtenue utilise une tension de seuil naturel faible pour réduire au maximum le glissement de la tension seuil pendant un cycle de lecture.
La tension de polarisation inverse augmente la tension de seuil du dispositif à semi-conducteur et, par voie de conséquence, réduit le courant de fuite sous le seuil.
Le moyen de définition de tension de seuil de charge non requise diminue la tension de seuil de charge non requise au cours d'un laps de temps prescrit défini.
Un comparateur compare la tension du signal en dent de scie du retard grossier avec la tension seuil de retard fin, et génère un signal d'horloge de sortie lorsque la tension du signal en dent de scie dépasse la tension seuil de retard fin.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод