De préférence, la température de bilan thermique est inférieure à 700 degrés Centigrade.
Grâce à l'orifice d'alimentation amélioré, il est possible de réaliser un traitement thermique hautement efficace et uniforme avec un faible bilan thermique à basse température.
Les diélectriques durcis par rayons UV peuvent, en plus, présenter un plus faible bilan thermique total pour ce durcissement que pour les procédés de durcissement au four.
Ce procédé présente généralement une valeur de bilan thermique inférieure à 960000 °C-sec, de préférence inférieure à 50000 °C-sec.
La couche de piégeage contrainte en traction permet d'accumuler les particules et(/ou des défauts ponctuels et de réduire la dose d'implantation et le bilan thermique nécessaires au clivage.
Le budget thermique attribué au traitement thermique de l'invention est illimité.
Cette technique réduit le budget thermique du substrat et améliore la qualité et les performances des dispositifs formés sur ce substrat.
Le budget thermique du premier processus de recuit peut être au moins aussi élevé qu'un budget thermique d'un processus de recuit ultérieur.
L'étape de recuit est menée avec un budget thermique prévu, en fonction du budget thermique de l'étape d'implantation ionique et éventuellement d'autres budgets thermiques induits par d'autres étapes, pour obtenir ledit clivage du substrat.
La présente invention concerne un procédé de commande d'un budget thermique d'un dispositif à circuit intégré.
La miniaturisation des semi-conducteurs s'accompagne d'une baisse de la dépense thermique requise pour les opérations de fabrication.
Ledit procédé permet, en réduisant l'énergie nécessaire au fonctionnement du dispositif dans certains modes de réalisation, de réduire la consommation de chaleur du dispositif.
En outre, comme le procédé d'intégration de la couche de contrainte (160) a un budget thermique inférieur, un niveau de contrainte élevé est induit dans la région de canal.
L'invention concerne un procédé améliorant le degré d'oxydation des coins de grille de transistor, sans augmentation significative du budget thermique propre au système de traitement global.
On peut utiliser ce procédé pour réaliser un film électroconducteur de haute qualité, tout en empêchant l'application d'un budget thermique excessif sur le film.
L'invention concerne un procédé, au moyen duquel un budget thermique de cristallisation à phase solide destiné à la cristallisation d'un silicium amorphe (a- Si) non dopé (ou légèrement dopé) est considérablement réduit.
Une fois chauffé, l'élément écran chauffe à son tour la plaquette de semi-conducteurs d'une manière plus uniforme.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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