L'invention concerne également une matrice mémoire dotées de telles cellules de mémoire.
L'invention concerne aussi des dispositifs mémoire comprenant ces éléments mémoire et des systèmes incorporant de tels dispositifs mémoire.
Dans un tel dispositif de mémoire, le dispositif de mémoire comprend une pluralité de chaînes de cellules de mémoire.
Des systèmes électroniques comprennent ces dispositifs de mémoire.
Un tel dispositif de mémoire comprend une pluralité de plans de cellules de mémoire.
L'invention porte également sur des systèmes électroniques qui comprennent de tels dispositifs de mémoire.
L'invention concerne des dispositifs et des systèmes de mémoire numérique, comprenant des systèmes de mémoire et des procédés pour exploiter de tels systèmes de mémoire.
La présente invention concerne des procédés et un appareil, notamment des dispositifs de mémoire et des systèmes incluant de tels dispositifs de mémoire.
L'invention concerne également des structures de dispositif à semi-conducteur et des systèmes comprenant de telles cellules de mémoire ainsi que des procédés permettant de former de telles cellules de mémoire.
Ainsi, le contenu de mémoire de la mémoire volatile peut être récupéré, chiffré et/ou mémorisé de manière sécurisée avant d'être purgé/supprimé de ladite mémoire volatile.
Une pluralité de telles cellules de mémoire peut être comprise dans un ensemble mémoire programmable non volatil.
L'invention concerne, de manière générale, des dispositifs de mémoire et des procédés de fabrication de tels dispositifs de mémoire.
La présente invention a trait à des ensembles mémoire à haute densité et à des procédés apparentés de fabrication et d'utilisation desdits ensembles mémoire.
Grâce à cette architecture de mémoire, il est possible de réaliser une mémoire DRAM à plus haute performance sans pour autant altérer la densité de mémoire.
Mémoire non-volatile à accès direct et circuit logique programmable comprenant une pluralité de telles cellules de mémoire.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод