La présente invention concerne un lingot de silicium cristallin qui est produit en utilisant un procédé de solidification directionnel.
Selon l'invention, un lingot de silicium cristallin est produit au moyen d'un procédé de solidification directionnelle.
L'invention concerne un dispositif destiné à un procédé de solidification dirigée, en particulier, de silicium liquide pour produire du silicium de qualité photovoltaïque, et un procédé d'affinage aux fins de solidification dirigée.
L'invention porte sur un alliage aluminium-lithium-magnésiu- zirconium-scandium qui est formé selon un procédé de solidification rapide de façon à retenir les phases métastables désirées.
THERCAST® prédit les contraintes et les déformations à la fin de ce procédé de solidification.
Le groupement ω participe au processus de solidification de l'encre.
Le procédé comprend : 1) un processus de prétraitement ; 2) un processus d'impression ; 3) un processus de solidification ; 4) un processus de démoulage.
Retourner pendant la phase de solidification/refroidissement.
La solidification inachevée.- Avant de finir le processus de solidification ils restent des trous en ignition.
De préférence, la masse en fusion forme en se solidifiant une fonte à graphite vermiculaire.
L'invention concerne un mélange liquide ou pâteux de substances.
L'invention concerne un procédé de régulation du processus de solidification lors de la coulée du fer.
(2) Les compartiments d'équipage ont été hermétiquement scellés via un processus de solidification.
Substrats possédant une conductivité thermique effective modifiée, destinés à être utilisés dans le processus de solidification latérale séquentielle.
La couche semi-conductrice organique est fabriquée via un processus de liquéfaction/solidification du matériau semi-conducteur organique.
(2) Les compartiments d'équipage ont été hermétiquement scellés via un processus de solidification.
(2) Les compartiments d'équipage ont été hermétiquement scellés via un processus de solidification.
Une quelconque seconde phase produite au cours du processus de solidification peut être complètement dissoute par un traitement thermique de mise en solution.
Dans certains modes de réalisation, les creusets sont utilisés pour préparer des lingots de silicium multi-cristallin au moyen d'un processus de solidification directionnelle.
Cette bande est, au cours de la solidification, refroidie à une température supérieure à 700 °C et divisée en brames minces.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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