Lorsque le transistor d'entrée (T1A) n'est pas conducteur, une forte quantité de charge s'accumule dans le transistor série (T3A) qui est alors saturé.
L'invention concerne une structure à transistors montés en série qui est constituée d'une couche semiconductrice (9) et de trois électrodes supérieures (11, 13, 15).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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