La jonction semi-conductrice peut être une jonction semi-conductrice p-i-n, une jonction semi-conductrice p-n, une jonction semi-conductrice n-p, ou une jonction semi-conductrice n-i-p.
La première couche de jonction semi-conductrice et la seconde couche de jonction semi-conductrice sont des couches de jonction semi-conductrices pin (ou p-n).
La jonction semiconductrice dans la région de drain est une jonction p-n et la jonction semiconductrice dans la région de source est une jonction métal-semiconducteur.
La deuxième zone semi-conductrice, la première jonction semi-conductrice et la seconde jonction semi-conductrice comportent chacune une intersection avec la surface semi-conductrice sensiblement planaire.
Une jonction semi-conductrice comprend le nanofil.
L'invention concerne une composition vitreuse pour protection de jonction de semi-conducteur qui est une composition pour protection de jonction de semi-conducteur destinée à former une couche vitreuse qui protège une jonction pn.
Entre les sections de réception de lumière, une seconde couche de jonction semi-conductrice est disposée sans être en contact avec la première couche de jonction semi-conductrice.
Un tel métal et de tels éléments semi-conducteurs sont en contact par une jonction métal/semi-conducteur.
L'invention concerne une jonction semi-conductrice qui peut comprendre un premier matériau semi-conducteur et un second matériau.
La présente invention concerne un dispositif à diode du type à jonction.
Le dispositif à semi-conducteurs comprend un circuit à semi-conducteurs qui définit une jonction semi-conductrice et qui encapsule un matériau qui est en contact physique avec le circuit à semi-conducteurs et qui entoure ce dernier.
Dans un mode de réalisation préféré, le courant de la jonction est généré par l'éclairage de la jonction semi-conductrice.
L'invention concerne un dispositif à jonction semi-conducteur, comprenant un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité et une couche de jonction formée sur le substrat ayant un second type de conductivité.
Des modes de réalisation comprennent une première jonction à semi-conducteur p-i-n combinée avec une seconde gestion à semi-conducteur p-i-n pour former un photodétecteur monolithique ayant au moins trois bornes.
Le dispositif de jonction semi-conducteur selon l'invention comprend un substrat en matériau semi-conducteur à faible résistivité de polarité présélectionnée.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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