Le matériau pour barrière de Schottky peut aussi être disposé sur les parois de la tranchée et constituer la barrière de Schottky.
Une couche métallique servant de barrière de Schottky établit un contact de barrière de Schottky avec la surface du substrat au-dessus de la grille.
Au moins une tranchée ouverte dans un substrat semi-conducteur comportant un matériau pour barrière de Schottky constitue la barrière de Schottky.
L'invention concerne en outre des modes de réalisation d'un procédé de formation de cette diode barrière de Schottky et une structure de conception pour la diode barrière de Schottky.
Cette invention concerne une structure à semi-conducteur à barrière de Schottky de faible hauteur.
La diode à effet Schottky (10) est pourvue d'une électrode Schottky (4) et d'une électrode ohmique (5).
Par exemple on peut utiliser une grille à barrière Schottky plane, ainsi que des grilles MOS creuses ou planes, ou une grille à jonction PN.
L'invention concerne une diode à barrière de Schottky et son procédé de production.
Le courant tunnel traversant la première jonction de type barrière de Schottky ou la deuxième jonction de type barrière de Schottky est sensiblement commandé par la tension de la région de base à semi-conducteurs.
Une hauteur de barrière de Schottky entre le premier matériau semi-conducteur et le matériau ferromagnétique est supérieure à une deuxième hauteur de barrière de Schottky entre le matériau ferromagnétique et le deuxième matériau semi-conducteur.
Le dispositif comprend des contacts source-drain semi-conducteurs isolants métalliques formant une barrière de Schottky ou des jonctions de type Schottky sur le substrat semi-conducteur.
La diode à barrière Schottky est également dotée d'une électrode (5).
Les premières régions (A) et les secondes régions (B) présentent un courant de Schottky et une barrière de Schottky différents.
L`une des principales caractéristiques d`une barrière Schottky est la hauteur de la barrière de Schottky, notée par ΦB (voir figure).
L`une des principales caractéristiques d`une barrière Schottky est la hauteur de la barrière de Schottky, notée par ΦB (voir figure).
L'invention concerne une diode à barrière de Schottky ayant un rendement amélioré et un dispositif électronique dans lequel la diode à barrière de Schottky est employée comme élément redresseur.
De préférence, le transistor à induction statique est du type à grille à barrière de Schottky creuse.
La seconde couche peut être un métal et la barrière contre l'énergie électrique peut être une barrière de Schottky.
Une couche mince supplémentaire, par exemple en GaAs, est introduite entre la couche à barrière de Schottky (14) et la couche métallique (18) pour augmenter la hauteur de la couche à barrière de Schottky sans produire de défauts excessifs.
L`une des principales caractéristiques d`une barrière Schottky est la hauteur de la barrière de Schottky, notée par ΦB (voir figure).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод