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Publications scientifiques

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Métallisation des mémoires flash à base de nisi et d'éléments d'alliages
The aim of this study is to characterize the Pt influence on the formation of nickel silicides in the

salicide

process and especially on the low resistivity phase NiSi, that is believed to become the next silicide used as contacting material on source and drain region in flash...
politique tarifaire - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
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A cell synthesis method for salicide processAbstract In this paper, we propose a cell synthesis method for a Salicide process....
général - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu
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Investigations of salicided and salicide-blocked mosfets for esd including esd simulation.Standard salicided MOSFETs have been repeatedly shown to have inferior ESD protection properties in comparison to salicide-blocked MOSFETs....
commerce international - core.ac.uk - PDF: in4.iue.tuwien.ac.at
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Advances on 45nm sige-compatible nipt salicide processNiPt self-aligned silicide (salicide) has become a major candidate for the 45nm node due to its better thermal stability and the surface morphology of NiSi on Si substrate [1,2]....
général - core.ac.uk - PDF: www.scientific.net
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Eliminating a polysilicon hole defect created during oxide removal... In-line KLA inspections confirmed that polysilicon holes were formed during the salicide block process module....
général - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu
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2162-8769/2014/3(10)/q203/4/$31.00 © the electrochemical society vertical finfet with salicide contact for potential power applications... Self-aligned silicide (salicide) was formed on the top of the fins to lower the contact resistance....
général - core.ac.uk - PDF: jss.ecsdl.org

Traductions en contexte anglais - français

After the

salicide

layers are formed on the doped regions, the salicide block is removed.

Après que les couches salicides soient formées sur les zones dopées, le bloc salicide est retiré.

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The regions abut, and a salicide interconnects the regions.

Les zones sont aboutées, et un salicyde interconnecte les zones.

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Such a salicide block (224) prevents formation of salicide down to a base region (210A) in turn preventing leakage current through the base for increased of the BJT.

Ce bloc de siliciure empêche la formation de siliciure au niveau d'une zone de base tout en empêchant les courants de fuite à travers la base pour un β amélioré du BJT.

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The formation of a spacer for precise salicide formation is disclosed.

Cette invention concerne un procédé de réalisation de bordures de protection pour la formation précise de siliciures.

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The structure is applicable to salicide and non-salicide memory cells and is especially useful in floating gate memory cells with gate stacks having abnormally shaped side walls.

Cette structure peut s'appliquer aux cellules de mémoire à siliciure ou sans siliciure, et en particulier aux cellules mémoires à grille flottante dont les empilements de la grille présentent des parois latérales de forme anormale.

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During this process, salicide structures (54) are also formed on junction regions (40, 60).

Le haut (50) de la grille et la partie découverte des parois peuvent faire l'objet d'un processus de salicidation, durant lequel des structures salicides (54) se forment également dans des zones de jonction (40, 60).

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A salicidation process causes the first film to salicide (236) with the polysilicon plug.

Lors d'une siliciuration, le premier film forme un siliciure (236) avec le bouchon de polysilicium.

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A method for forming a semiconductor device and selectively forming a salicide layer is described.

La présente invention concerne un procédé destiné à produire un dispositif semi-conducteur et à produire une couche de salicide, de manière sélective.

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Variable-resistance material memories include a buried salicide word line disposed below a diode.

Des mémoires en matériau à résistance variable comprennent une ligne de mots en salicide enterrée, disposée au-dessous d'une diode.

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A method and device for improved salicide resistance in polysilicon gates under .20 micro meter.

L'invention concerne un procédé et un dispositif améliorant la résistance du siliciure auto-aligné dans des grilles en polysilicium sous 0,20 νm.

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Processes include the formation of one of the buried salicide word line and the metal spacer.

Des procédés comprennent la formation de l'un parmi la ligne de mots en salicide enterrée et de l'espaceur métallique.

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To ensure proper salicide formation, a poly-Si layer is capped over the poly-SiGe layer.

Pour garantir une formation correcte de salicide, une couche de poly-Si est appliquée sur la couche de poly-SiGe.

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Titanium is deposited onto a semiconductor interconnect to form a salicide structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

On dépose du titane sur une interconnexion à semi-conducteurs, afin d'obtenir une structure de saliciure au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur au plasma.

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Microstrip and airbridge connectors, salicide processing and nitride side wall spacing can be used to further enhance device performance.

Afin d'améliorer encore les performances du dispositif, on peut utiliser des connecteurs de lignes microrubans et de ponts, effectuer un traitement au saliciure et avoir une séparation de la paroi latérale au nitrure.

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To obtain a low resistance to integrated circuit devices, a metal silicide (1510) is formed by a salicide technique.

Pour obtenir des circuits intégrés à faible résistance, on forme un siliciure métallique (1510) par la technique du siliciure auto-aligné.

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