Dictionnaire anglais - français

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
At least one of the totally four diodes comprises a different reverse breakdown voltage.

Au moins une, du total des quatre diodes, comprend une tension de rupture inverse différente.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A non-volatile memory cell structure which includes a floating gate, a reverse breakdown element and a read transistor.

L'invention concerne un structure de cellules de mémoire non volatile comprenant une grille flottante, un élément de rupture inverse, et un transistor de lecture.

informatique et traitement des données - wipo.int
The transient voltage suppressor is ideally suited to fix the problem of high forward voltage drop of PN diodes and high leakage of low reverse breakdown of Schottky rectifiers.

Le suppresseur de tension transitoire est idéalement conçu pour résoudre les problèmes de chute importante de tension directe des diodes PN et de fuite importante des redresseurs Schottky à faible rupture inverse.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A p-ge.../n-si heterojunction diode grown by molecular beam epitaxy... The I-V characteristics of the p-GeC/n-Si diode indicate a reasonable reverse saturation current of 89 pA/m 2 at 01 V and a high reverse breakdown voltage in excess of 040 V....
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu
reverse breakdown
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
The GaN-based LED (100) exhibits a reverse breakdown voltage equal to or greater than 60 volts.

Ladite DEL (100) présente une tension de claquage inverse égale ou supérieure à 60 volts.

électronique et électrotechnique - wipo.int
This trench gate power semiconductor device (100) has high reverse breakdown voltage and further lower on-resistance.

Ce dispositif à semi-conducteurs de puissance à grille en tranchée (100) a une tension de claquage inverse élevée et une résistance à l'état passant encore plus faible.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Among other advantages, the resulting solar cell structure allows for increased efficiency while having a relatively low reverse breakdown voltage.

Parmi d’autres avantages, la structure de pile solaire résultante permet d’augmenter l’efficacité tout en ayant une tension de claquage inverse relativement faible.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A method and apparatus for determining an operating voltage lower bound for preventing photovoltaic (PV) cell reverse breakdown during power conversion.

L'invention porte sur un procédé et un appareil pour déterminer une limite inférieure de tension de fonctionnement pour empêcher un claquage inverse de cellule photovoltaïque (PV) durant une conversion électronique de puissance.

industries nucléaire et électrique - wipo.int
A non-volatile memory cell structure includes a floating gate, a reverse breakdown hot carrier injection element and a sense transistor.

L'invention concerne une structure d'une cellule de mémoire permanente qui inclut une grille flottante, un élément d'injection de porteurs chauds à claquage inverse, et un transistor de détection.

informatique et traitement des données - wipo.int
High-voltage gan-on-silicon schottky diodes... The initial developmental goals were for a Schottky diode that has a reverse breakdown blocking voltage of>600 volts and is capable of handling 10 amperes of forward current....
général - core.ac.uk - PDF: gaas.org
Study of bulk and elementary screw dislocation assisted reverse breakdown in low-voltage (<250 v) 4h–sic p+n junction diodes—part ii: dynamic pulse-breakdown properties... This paper compares the dc-measured reverse-breakdown characteristics of low-voltage (<250 V) small-area (<5 104 cm2) 4H–SiC p+n diodes with and without elementary screw dislocations....
Ga2o3 schottky rectifiers with 1 ampere forward current, 650 v reverse breakdown and 26.5 mw.cm-2 figure-of-meritA key goal for Ga2O3 rectifiers is to achieve high forward currents and high reverse breakdown voltages....
 PDF: doaj.org

Exemples anglais - français

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
industrie / énergie - iate.europa.eu
électronique et électrotechnique - acta.es

Traductions en contexte anglais - français

No hot carrier is trapped by the protective film (9) upon reverse breakdown.

Aucun porteur chaud n'est pris dans le film protecteur (9) lors d'une avalanche, ce qui empêche une détérioration des caractéristiques de la diode, due au temps.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The maximum reverse voltage at which a thyristor starts conducting is known as Reverse Breakdown Voltage.

La valeur de la tension pour laquelle le thyristor s'amorce, s'appelle tension de retournement.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
A conventional solid-state diode allows significant current if it is reverse-biased above its reverse breakdown voltage.

Une diode à semi-conducteurs conventionnelle permet un courant significatif s`il est biaisé à l`envers au-dessus de sa tension de panne inversée.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
A conventional solid-state diode will allow significant current if it is reverse-biased above its reverse breakdown voltage.

Une diode à semi-conducteurs conventionnelle permet un courant significatif s`il est biaisé à l`envers au-dessus de sa tension de panne inversée.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
A Zener diode is designed to operate in the reverse breakdown region.

Les diodes Zener sont conçus pour fonctionner en particulier dans la région de polarisation inverse.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
R must be small enough that the current through D keeps D in reverse breakdown.

R doit être suffisamment petite pour que le courant qui passe dans D la maintienne en mode d'avalanche.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Zener reverse breakdown is due to electron quantum tunnelling caused by a high-strength electric field.

La décomposition inverse de Zener est due à un tunnel quantique d`électrons provoqué par un champ électrique de haute résistance.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Zener reverse breakdown is due to electron quantum tunnelling caused by a high strength electric field.

La décomposition inverse de Zener est due à un tunnel quantique d`électrons provoqué par un champ électrique de haute résistance.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Zener diode reverse breakdown is due to electron quantum tunnelling caused by a high strength electric field.

La décomposition inverse de Zener est due à un tunnel quantique d`électrons provoqué par un champ électrique de haute résistance.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
When connected parallel to a variable voltage source so that it is reverse-biased, a Zener diode controls when the voltage reaches the diode's reverse breakdown voltage.

Lorsqu`il est raccordé en parallèle avec une source de tension variable de sorte qu`il est biaisé inversé, une diode Zener conduit lorsque la tension atteint la tension de panne inverse de la diode.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
When connected in parallel with a variable voltage source so that it is reverse biased, a zener diode conducts when the voltage reaches the diode's reverse breakdown voltage.

Lorsqu`il est raccordé en parallèle avec une source de tension variable de sorte qu`il est biaisé inversé, une diode Zener conduit lorsque la tension atteint la tension de panne inverse de la diode.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
When connected in parallel with a variable voltage source so that it is reverse biased, a Zener diode conducts when the voltage reaches the diode's reverse breakdown voltage.

Lorsqu`il est raccordé en parallèle avec une source de tension variable de sorte qu`il est biaisé inversé, une diode Zener conduit lorsque la tension atteint la tension de panne inverse de la diode.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
A method of creating a reverse breakdown condition in an array of memory cells arranged in columns and rows in the array, and an array structure are provided.

La présente invention concerne, d'une part un procédé de création d'une condition de tension inverse de claquage dans une matrice de cellules mémoires agencées en rangées et colonnes dans la matrice, et d'autre part une structure de matrice.

informatique et traitement des données - wipo.int


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