Un masque de réserve d'un motif de trou de contact est formé sur la seconde couche de formation de masque comprenant le troisième masque.
Le masque réserve et des parties non dopées du silicium amorphe sont éliminés afin de former un masque de silicium.
Les transistors à couches minces du dispositif à semi-conducteurs sont formés à l'aide d'un masque réserve formé grâce à un masque à multiples tons.
La gravure peut être réalisée sans endommagement du masque de réserve pour l'exposition à l'ArF.
Le premier masque (126) de résine photosensible est durci pour éviter qu'il ne se soulève lorsque l'agent de réserve à couvrir du deuxième masque (158) se forme.
Le masque de résistance photo est développé.
Ensuite, un masque de résist ayant une partie renfoncée est formé sur ceux-ci à l'aide d'un masque à multiples tons.
Une fois que l'orifice de contact est formé, on retire le masque protecteur.
Puis, les zones de puits de second type sont formées à travers le masque de résist.
Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de traitement d'un masque résistant.
Lorsque ce capteur de lecture (34) est formé, le masque de résine (42) est enlevé par procédé de planarisation, ce qui permet d'éviter de devoir décoller le masque de résine (42) à l'aide d'un procédé chimique conventionnel.
Ensuite, une portion en retrait (H) est formée dans la couche d'enregistrement (15) à l'aide du masque de résist (R).
On élimine le masque de résist en utilisant un calcinateur O2 selon la procédure classique et on nettoie la plaquette en la plongeant dans un bain d'acide fluorhydrique dilué (100:1).
De ce fait, on évite la présence de résidus de résines photosensibles en raison des réactifs de gravure et le masque de résine photosensible peut être efficacement éliminé à la surface du matériau de base.
De plus, du fait de l'exposition d'interférence de deux flux lumineux, un masque photographique est soumis à l'exposition d'un motif cyclique.
Ce procédé consiste à déposer un masque de résistance monté sur un élément vertical de la structure partiellement formée, et à former ensuite les autres éléments en se basant sur ce masque.
La présente invention concerne une technique de formation d'un masque de résist à motifs sur la surface d'une couche destinée à être exposée de manière sélective.
Ainsi, un masque de réserve (25) ayant un film résiduel mince et uniforme peut être formé facilement sur le substrat inorganique (21).
Ensuite, et avant laminage d'un ruban BG (25), les rugosités présentes sur un masque de réserve (7) formé sur la face avant (5a) sont éliminées par un traitement au plasma.
Quatrième étape (ST4D) consistant à nettoyer chimiquement la surface de la première couche d'isolation de grille contaminée par un masque de résine photosensible.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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