Ainsi, la largeur d'une couche d'appauvrissement (154) est réduite, permettant la diminution du courant de recombinaison et l'amélioration de la linéarité d'une caractéristique de courant.

Etant donné qu'à la fois du siliciure et un implant P+ à implants lourds sont présents uniquement au niveau de point de contact, le courant de recombinaison est réduit.

Lorsque l'élément au moins partiellement conducteur est chargé, le courant de recombinaison est réduit dans des régions de la base adjacentes à l'élément.

L'épaisseur de la couche émettrice, si elle est utilisée, est réduite au minimum pour diminuer le courant de recombinaison de charge d'espace associé dans le transistor bipolaire à hétérojonction.

On reduit le courant de recombinaison en surface dans des dispositifs GaAs au moyen d"une couche semi-isolante, monocristalline dopee a l"oxygene, le fer ou le rayon moleculaire).