La couche d'émission formée au moyen du procédé thermique rapide ne nécessite pas d'électroformation afin de stabiliser la couche mince.
La présente invention concerne un système de traitement thermique rapide.
Ce procédé consiste également à appliquer ledit modèle de rayonnement de premiers principes afin de modifier le traitement thermique rapide exécuté pendant une phase de traitement thermique rapide.
La présente invention concerne un dispositif et des procédés de traitement thermique rapide pour le traitement thermique d'échantillons tels que des tranches de semi-conducteurs.
L'invention concerne des procédés et des appareils pour former une couche réfractaire au cours d'un traitement thermique rapide dans lequel de l'hydrogène ambiant est utilisé dans la chambre de traitement thermique.
Selon un mode de réalisation, un traitement thermique rapide est mis en oeuvre par traitement thermique par vaporisation instantanée de la couche de surface dopée.
L'invention concerne un procédé amélioré destiné à un traitement thermique rapide d'une plaquette de semi-conducteur.
La présente invention concerne le module chauffant d'un appareil de traitement thermique rapide.
L'invention concerne un système et un procédé de traitement thermique rapide donnant des pièces sensiblement exemptes de défaut.
L'invention concerne la régulation de la température d'une plaquette pendant un traitement thermique rapide.
L'invention concerne des procédés et un appareil pour le traitement thermique rapide hyperbare d'un substrat.
L'invention vise à permettre un refroidissement rapide de substrats dans un dispositif de chauffage rapide.
Dans des modes de réalisation, l'invention concerne un appareil et des procédés pour effectuer un traitement thermique rapide.
L'invention concerne une énergie à micro-ondes utilisée comme source de rayonnement pour un traitement thermique rapide de plaquettes semi-conductrices.
La présente invention concerne généralement des procédés de refroidissement d'un substrat pendant un traitement thermique rapide.
La présente invention concerne des procédés de traitement thermiques rapides (TTR) d'un substrat.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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