L'architecture de traitement est également mise en oeuvre dans des dispositifs de mémoire vive dynamique et de mémoire vive.
Chacun des dispositifs de mémoire comporte une mémoire, par exemple, une mémoire flash de type NON ET, une mémoire flash de type NON OU, une mémoire vive et une mémoire vive statique.
L'invention porte sur un cache hybride qui comprend une partie mémoire vive statique (SRAM) et une partie mémoire vive résistive.
Mémoire vive dynamique en bus (RDRAM
Mémoire vive dynamique synchrone (SDRAM
Les cellules de mémoire adressables en fonction du contenu (32) mémorisent les adresses de mémoire virtuelle et les cellules de mémoire à accès sélectif (35) mémorisent les adresses de mémoire physique.
L'invention concerne un périphérique de mémoire à semi-conducteurs comprenant une cellule de mémoire vive dynamique (DRAM) et une cellule de mémoire adressable par contenu ternaire (TCAM).
La présente invention concerne une interface de cache présentant une mémoire à accès aléatoire statique (SRAM) et une mémoire à accès aléatoire dynamique(DRAM).
A un quelconque moment voulu, les contenus de la première mémoire à accès aléatoire sont capturés dans une seconde mémoire à accès aléatoire.
Dans certains modes de réalisation, les puces mémoires peuvent être des puces de mémoire à accès aléatoire dynamique.
RAM est l’acronyme du concept anglais Random Access Memory (mémoire à accès aléatoire)..
Le processeur communique avec une unité externe par l'intermédiaire d'une mémoire à accès aléatoire (24) et d'une pluralité de FIFO, dont chacun est associé avec un emplacement de mémoire à accès aléatoire.
Trusted Computer System Evaluation Criteria (Critères d'évaluation du système informatique à sécurité multiniveau
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Mémoire synchrone à accès aléatoire, telle qu'une mémoire synchrone dynamique à accès aléatoire ou une mémoire synchrone graphique à accès aléatoire, réagissant à des signaux d'ordre et incluant des ensembles de mémoire en blocs multiples.
Ce tampon comporte une unité de commande de tampon d'écriture et une mémoire à accès sélectif (RAM) contenant un dispositif de stockage d'adresses de mémoire auto-associative (CAM) ainsi qu'un dispositif de stockage de mémoire à accès sélectif.
Les mémoires adéquates citées dans la description comprennent les mémoires vives magnétorésistives (MRAM), les mémoires vives à nanotubes de carbone (CN-RAM), et les mémoires PMCm (programmable metallization cell memory).
La présente invention se rapporte à un circuit mémoire (1) comportant au moins une mémoire à accès direct non volatile (3), telle qu'une mémoire flash NAND et une mémoire à accès direct (4), telle qu'une mémoire à accès direct dynamique.
Ainsi, les données peuvent être transmises entre la mémoire à accès direct non volatile (3) et la mémoire à accès direct (4) par l'intermédiaire du contrôleur mémoire (5).
La présente invention se rapporte à une mémoire vive comprenant des éléments de commutation à nanotube.
La présente invention concerne un dispositif à mémoire d'accès aléatoire non volatile.
La cellule de mémoire est une cellule de mémoire vive dynamique (DRAM).
Le système comprend un contrôleur de tampon de mémoire de mémoire vive dynamique (DRAM).
La présente invention porte sur un dispositif de mémoire vive dynamique.
Moyens de mémoire RAM statique.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод