Pour commander le diamètre de cristal, la vitesse de traction est commandée.
En outre, est également prévu un dispositif de régulation de la vitesse d'arrêt pour réguler la vitesse d'arrêt du cristal unique sur la base de la quantité de chaleur éliminée calculée et/ou sur la base de la proportion de chaleur éliminée.
Ce procédé consiste à réguler la vitesse de tirage V d'un cristal de silicium (10) dans un mécanisme de tirage (4) et le taux de refroidissement dans un refroidisseur (30).
On effectue des mesures de résistance de film d'oxyde afin de déterminer la relation entre la vitesse de tirage, la température de traitement thermique et les résultats d'une mesure de résistance de film d'oxyde.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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