Chaque cellule contient aussi une section de commande de haute efficacité comportant un seul transistor bipolaire de tirage vers le haut (58), un grand transistor de tirage vers le bas à canal N (62) et un petit transistor à canal P (60).
Parmi les exemples de séquences de champs connues on peut citer des séquences d'ajustement 3:2, des séquences d'ajustement 2:2 et plus généralement des séquences d'ajustement m:n:l:k.
Le circuit d'attaque comprend un module releveur, un premier module abaisseur, un second module abaisseur, un module d'attaque d'élévation, un module d'attaque d'abaissement et un module de réarmement.
Lorsque le deuxième niveau de tension permet la connexion, les onduleurs d'excursion basse réalisent une excursion basse plus rapidement que les transistors NMOS d'excursion basse seuls.
L'empilement d'excursion haute et d'excursion basse comprend au moins un transistor d'excursion haute (210) et au moins un transistor d'excursion basse (212), respectivement.
Le transistor d'excursion basse de chaque étage comprend des premier et second transistors d'excursion basse.
L'unité de registre à décalage comprend un module d'entrée, un module d'excursion haute, un module de commande d'excursion basse, et un module d'excursion basse.
L'invention concerne une unité de registre à décalage qui comprend un module de commande (1) d'excursion haute, un module à excursion haute (2), un module de commande (3) d'excursion basse et un module à excursion basse (4).
Le premier transistor d'excursion basse et le second transistor d'excursion basse sont connectés en parallèle, et le premier transistor d'excursion haute et le second transistor d'excursion haute sont connectés en série.
L'invention concerne des tampons comprenant un transistor d'excursion haute de sortie commandé par un signal d'entrée, un transistor d'excursion basse de sortie, et un circuit de commande de transistor d'excursion basse.
Le pilote de sortie comprend également un circuit d'excursion haute (706A) et un circuit d'excursion basse (706B) adaptés pour recevoir une paire de signaux de commande (PULL-UP#, PULL-DOWN#).
Une sortie de ligne de correspondance est également couplée au premier transistor d'excursion basse et au second transistor d'excursion basse, ainsi qu'au premier transistor d'excursion haute et au second transistor d'excursion haute.
Un circuit d'attaque (102) comporte un empilement d'excursion haute et d'excursion basse.
Le drain du transistor d'excursion basse partagé est couplé au premier drain via au moins un transistor d'excursion basse (303, 363, 304, 364) en série avec le transistor partagé d'excursion basse (305).
Un circuit ECL d'excursion basse actif à liaison directe (LS-APD) produit un signal d'attaque qui s'adapte automatiquement aux conditions de charge.
Le drain du transistor partagé d'excursion basse (305) est également couplé au second drain via au moins un transistor d'excursion basse (303, 363, 304, 364) en série avec le transistor d'excursion basse partagé.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод