Une capacité parasite de la photodiode (15) est détectée par le circuit de détection de capacité parasite (65).
Le premier commutateur possède une capacité parasite variable, tandis que le second condensateur possède une capacité sensiblement plus linéaire que la capacité parasite variable et est monté en parallèle avec la capacité parasite variable.
L'invention porte sur un procédé de conversion d'une capacité de détecteur dans des conditions de capacité parasite et sur un circuit convertisseur capacité/tension (CV), pour convertir une capacité de détecteur dans des conditions de capacité parasite.
La capacité parasite variable combinée à la capacité de condensateur du commutateur précité est plus linéaire que la capacité parasite variable du premier commutateur.
En outre, le commutateur primaire a une capacité parasite.
Le premier commutateur possède une première capacité variable parasite, et le second condensateur possède une capacité sensiblement plus linéaire que la capacité variable parasite, et il se trouve en parallèle avec la capacité variable parasite.
Une capacité variable parasite combinée et une capacité dudit condensateur de commutateur est plus linéaire que la capacité variable parasite du premier commutateur.
La présente invention concerne un circuit de signalisation doté d'une capacitance parasite réduite.
La résistance de sortie et la capacitance parasite sont réduites.
L'espacement prédéterminé génère une capacitance parasite et une inductance.
Dans un mode de réalisation, la capacité parasite du deuxième étage constitue la plus grande capacité du réseau.
Lorsque la sortie chute, la capacité parasite alimente une résistance commandant l'étage d'attaque.
L'invention permet ainsi d'empêcher la formation d'images fantômes dues à la capacité parasite du fait qu'aucune capacité parasite ne se produit entre la ligne prédéterminée et la ligne adjacente.
Les circuits de compensation génèrent une capacité parasite (60) qui compense la capacité intrinsèque du disjoncteur à réenclenchement (30).
Le capteur de pression capacitif est également conçu pour minimiser la capacité parasite.
Chaque composant détecteur d'humidité comprend de manière générale une capacité parasite particulière correspondante.
Par ailleurs, les circuits intégrés constitués de la couche de nitrure activée par plasma peuvent présenter une capacité parasite réduite.
Par conséquent, la capacité parasite est moindre au niveau de la région de contact de corps.
La structure de liaison programmable en tension réduit la capacité parasitaire à l'aide d'une implantation ionique.
Les cavités dans les couches diélectriques d'interconnexion réduisent efficacement la capacité parasite entre les couches.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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