L'invention a pour objet de permettre à un terminal d'utilisateur de détecter de manière efficiente une petite cellule à l'état inactif qui bascule dynamiquement entre un état actif et un état inactif.
Ledit dispositif de réglage (1) possède un état inactif ainsi qu'un état actif et comprend un empilement (10) de couches.
Avec cette structure, il est possible d'améliorer une tension de coupure à l'état inactif tout en réduisant une résistance d'activité.
La concentration en porteurs de charge de la partie comprenant la jonction de barrière Schottky est extrêmement basse ; cela permet de réduire le courant à l'état inactif.
L'invention concerne un transistor présentant un faible courant dans l'état bloqué (courant dans un état bloqué).
tension de crête à l'état bloqué
tension de crête à l'état bloqué dans le sens direct
tension de pointe répétitive à l'état bloqué
tension de pointe répétitive à l'état bloqué dans le sens direct
Ils sont dérivés sur un état inactivé ('off-state').
Le second circuit d'adaptation est configuré pour convertir une impédance à l'arrêt du second amplificateur en une seconde impédance à l'arrêt convertie.
Les cellules du dispositif peuvent prendre sélectivement un état allumé ou un état éteint.
On utilise l'état de repos des symboles binaires pour éventuellement générer des symboles symétriques afin de remplacer la logique à deux états d'au moins un symbole binaire susceptible de pouvoir prendre l'état de repos par une logique à trois états.
Les transistors à effet de champ de commutation ont un faible courant de coupure.
L'invention concerne, en particulier, des matériaux magnétorhéologiques ayant une viscosité à l'état bloqué choisie et une viscosité apparente à l'état bloqué choisie.
Ainsi, l'intensité du courant de fuite (courant à l'état bloqué) peut être réduite lorsque le transistor (105) est bloqué.
tension de pointe répétitive à létat bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et
tension de pointe répétitive à l'état bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et
tension de pointe répétitive à létat bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et
tension de pointe répétitive à l'état bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et
tension de pointe répétitive à l'état bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et
Les durées de transitions commutées sont courtes par rapport aux durées de l'état passant et de l'état bloqué des redresseurs commandés (Q3, Q4).
Ce circuit permet d'obtenir une capacité de courant élevée lors de l'état passant et un courant négligeable lors de l'état bloqué.
Dans l'état non passant, les deux retardateurs possèdent une retardance nulle et dans l'état passant ils possèdent une retardance demi-onde.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод