transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS
Le capteur de courant cascode selon l'invention comprend un MOSFET principal et un MOSFET de détection.
Circuit amplificateur de puissance comportant un transistor MOSFET amplificateur et un transistor MOSFET de prédistorsion.
Dans un mode de réalisation, on trouve un premier transistor MOS et un second transistor MOS, le drain du premier transistor MOS formant un noeud commun avec le drain du second transistor MOS.
Le dispositif normalement à l'état bloqué peut être un MOSFET tel qu'un MOSFET en Si.
La source du transistor à effet de champ MOS (81) est connectée au drain d'un transistor à effet de champ MOS (83).
L'appareil de protection comprend un seul transistor MOSFET et un circuit intégré (CI) de protection commandant l'unique transistor MOSFET.
L'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant un premier MOSFET de mémoire, un élément résistif et un second MOSFET.
Structure MOSFET modifiée, comprenant un redresseur à effet de champ (FER) intégré connecté entre la source et le drain du MOSFET pour shunter le courant pendant la commutation du MOSFET.
La source du premier MOSFET (Q 10) est reliée à la grille du deuxième MOSFET (Q 11), et la source du deuxième MOSFET (Q 11) est reliée à la grille du premier MOSFET (Q 10).
Les caractéristiques fonctionnelles du second MOSFET peuvent être étroitement appariées à celles du premier MOSFET, et le second MOSFET peut être contenu sur le même substrat.
La source et le drain du transistor MOSFET de prédistorsion sont interconnectés, et le transistor MOSFET de prédistorsion est connecté entre la grille du transistor MOSFET amplificateur et un deuxième signal de tension de polarisation.
Le convertisseur d'alimentation en énergie électrique comprend un MOSFET primaire, un MOSFET secondaire et un transformateur.
Les capacités non linéaires associées du transistor MOSFET amplificateur et du transistor MOSFET de prédistorsion produisent une prédistorsion favorisant la suppression de la part de distorsion ou de non-linéarité du transistor MOSFET amplificateur seul.
La présente invention concerne un emballage externe mince et compact renfermant un MOSFET et une diode Schottky, comprenant une électrode S de MOSFET, une électrode G de MOSFET, une électrode D de MOSFET et des électrodes K et A de diode Schottky.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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