Par le dépôt d'une couche de silicium amorphe sur le silicium microcristallin, le silicium microcristallin peut être protégé d'un endommagement par la gravure.
Ladite première couche de silicium comprend de préférence au moins du silicium microcristallin.
Dans des cellules solaires tandem à silicium amorphe/microcristallin, du silicium microcristallin peut être déposé par utilisation d'une densité de puissance plus élevée et jusqu'à une plus grande épaisseur que du silicium amorphe.
Selon un exemple, la première couche non dopée est du silicium amorphe ou du silicium microcristallin.
Un film en silicium microcristallin est formé au-dessus du grain d'oxyde de silicium ou du film d'oxyde de silicium.
La gravure peut endommager la matière en silicium microcristallin sous-jacente.
Le film mince de silicium microcristallin permet d'obtenir une mobilité de porteuse supérieure à celle obtenue avec un film mince de silicium amorphe.
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film en silicium microcristallin doté d'une adhérence améliorée entre un film isolant et le film en silicium microcristallin.
Le film en silicium microcristallin est formé de la manière suivante.
L'invention concerne un dispositif photovoltaïque qui comprend une couche de silicium microcristalline.
Cette invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium microcristalline du type intrinsèque.
Cette invention concerne un processus PCVD, qui peut former un silicium microcristallin à l'aide d'hydrogène gazeux à faible débit, et une cellule solaire à silicium microcristallin à un coût inférieur.
Par la suite, au cours du traitement au plasma, un gaz d'amorçage est introduit pour former une couche de silicium microcristallin intrinsèque (404) constituée d'un silicium microcristallin intrinsèque sur la couche isolante de grille (103).
On forme de cette façon plusieurs couches de nitrure de silicium.
L'invention concerne également une photopile comprenant un film de silicium microcristallin.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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