La ligne de métallisation est définie à partir d'un niveau de métallisation et le film de métallisation fin est défini avant qu'un niveau de métallisation suivant supérieur audit niveau de métallisation ne soit défini.
De façon plus spécifique, la présente invention se rapporte à des procédés de métallisation sélective, comme des procédés de métallisation anélectrolytique et/ou électrolytique, par exemple.
La puce est électriquement connectée à la première structure de métallisation et à la seconde structure de métallisation.
La structure en couche peut s'utiliser pendant le processus de métallisation et peut être renouvelée directement dans l'installation de métallisation après chaque cycle de métallisation.
Le dépôt de la seconde métallisation est découplé du dépôt de la première métallisation.
La cellule solaire à couches minces tridimensionnelles comprend également des régions de métallisation émettrices et des régions de métallisation de base.
La seconde couche de métallisation est espacée du substrat de semi-conducteur, la première couche de métallisation se situant entre ceux-ci.
En outre, cette technique facilite la métallisation électrolytique directe de grandes surfaces en plastique et rend superflue la métallisation préalable sans courant.
Un second motif de métallisation interdigité est positionné sur le plan arrière et est relié au premier motif de métallisation interdigité.
Une couche de métallisation de sous bosse est placée dans l'ouverture et une bosse de soudure est superposée à la couche de métallisation.
La couche de métallisation présente du cuivre déposé par dépôt électrolytique.
La ligne de mots (188) est formée à partir d'un système de métallisation (181) situé au-dessus du premier système de métallisation (141).
Le procédé consiste à former un couche de métallisation inférieure et une couche diélectrique inférieure par-dessus la couche de métallisation inférieure.
Cette invention se rapporte à un composant programmable et à des procédés de fabrication d'un tel composant programmable, lequel comporte une ligne de métallisation de liaison sur laquelle est formée une couche d'oxyde.
La première couche de métallisation est en contact électrique avec l'interconnexion conductrice par l'intermédiaire de la seconde couche de métallisation.
Le condensateur comprend une ligne de métallisation présentant une couche à constante diélectrique élevée définie sur la ligne de métallisation.
Après la formation de cette couche écran, une couche d'oxyde d'enrobage est déposée à l'intérieur de la couche de métallisation écran.
L'invention concerne par ailleurs un composant électrique (1) comprenant une première et une deuxième métallisation (8, 9), lesquelles présentent une mouillabilité différente avec un matériau de brasage.
Une ligne de métallisation est formée par-dessus la couche diélectrique inférieure à l'aide d'une couche diélectrique supérieure recouvrant la ligne de métallisation.
Dans une autre mise en œuvre, la structure de support comprend des caractéristiques métalliques entre la couche de métallisation la plus haute et la couche de métallisation suivant la plus haute.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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