L'invention concerne un capteur d'image à semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS).
L'invention concerne un dispositif de détection de scintillement servant à détecter un bruit de scintillement dans un capteur d'image CMOS (silicium complémentaire à l'oxyde de métal).
La présente invention concerne un réseau programmable hexagonal d'un transistor métal-oxyde semi-conducteur à effet de champ à nano-fil de silicium et un procédé de préparation associé.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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