Dictionnaire anglais - français

metal-oxide-silicon

communication - iate.europa.eu
Charge separation technique for metal-oxide-silicon capacitors in the presence of hydrogen deactivated dopantsAn improved charge separation technique for metal-oxide-silicon (MOS) capacitors is presented which accounts for the deactivation of substrate dopants by hydrogen at elevated irradiation temperatures or small irradiation...
général - core.ac.uk - PDF: digital.library.unt.edu
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment...
Electronic detection of surface plasmon polaritons by metal-oxide-silicon capacitor... SPPs optically excited on a metal surface using a prism coupler are detected by using a close-coupled metal-oxide-silicon (MOS) capacitor....
 PDF: doaj.org
metal-oxide-silicon
communication - iate.europa.eu
Disclosed herein is a Complementary Metal-Oxide-Silicon (CMOS) image sensor.

L'invention concerne un capteur d'image à semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS).

électronique et électrotechnique - wipo.int
A flicker detecting device for detecting flicker noise in a CMOS (complementary metal-oxide-silicon) image sensor is provided.

L'invention concerne un dispositif de détection de scintillement servant à détecter un bruit de scintillement dans un capteur d'image CMOS (silicium complémentaire à l'oxyde de métal).

électronique et électrotechnique - wipo.int
— article thick oxide mos transistors
ABSTRACT The main properties of metal-oxide-silicon radiation dosemeters are described and the results obtained in terms of sensitivity and stability with thick oxide layers are given....
... RÉSUMÉ Les principales propriétés des dosimètres de rayonnement métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) sont décrites....
recherche et propriété intellectuelle / activité agricole - core.ac.uk - PDF: www.radioprotection.org

Publications scientifiques

Conception d'un transistor vertical à base de nitrure de gallium... À ce jour, plusieurs technologies bénéficient des performances du GaN via des transistors à effet de champ comme ceux à grille isolée sur une hétérostructure spécifique (MOS)HEMTs (High electron mobility transistors)....
technologie et réglementation technique / électronique et électrotechnique - core.ac.uk -
Codage de parole par transformée pour le développement de codeurs parole-audio unifiés... Lors des tests subjectifs MOS, le modèle se situe dans la même catégorie de qualité que la norme G.722.2...
communication / électronique et électrotechnique / exploitation de la terre agricole - core.ac.uk -
Matières organiques des sols forestiers et changements climatique et atmosphériqueLa matière organique des sols (MOS) constitue le plus grand réservoir de carbone des écosystèmes terrestres et elle est une composante majeure de la fertilité....
général - core.ac.uk - PDF: documents.irevues.inist.fr
Dynamique de la matière organique d'un lixisol plinthique sous l'effet de la mise en culture et des pratiques culturales (sud-ouest du burkina faso)La matière organique des sois (MOS) joue un rôle prépondérant dans la fertilité des sols et dans la réduction des gaz à effet de serre en tant que source ou puits de carbone vis à vis de l'atmosphère....
général - core.ac.uk - PDF: agritrop.cirad.fr
La matière organique et la stabilité structurale d'horizons de surface de sols ferrallitiques argileux : effet du mode de gestion des terres... Parallèlement, on note aussi : avec la mise en culture, une forte diminution des teneurs en matière organique (MO) des sols (MOS) ; de fortes corrélations entre teneurs en MOS et stabilité de l'agrégation des horizons de surface....
général - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk

Exemples anglais - français

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Traductions en contexte anglais - français

Provided are a hexagonal programmable array of a silicon nanowire metal-oxide-silicon field effect transistor and a preparation method therefor.

La présente invention concerne un réseau programmable hexagonal d'un transistor métal-oxyde semi-conducteur à effet de champ à nano-fil de silicium et un procédé de préparation associé.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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