Toute mémoire de tous types peut être utilisée, y compris des mémoires à codage électromagnétique et des mémoires optiques, ou des combinaisons de celles-ci.
L'invention concerne les mémoires en circuit intégré, et plus spécialement les mémoires électriquement programmables.
L'invention concerne les mémoires non-volatiles et notamment les mémoires de cartes à puce à microprocesseur.
Les mémoires de flots de données se composent de quatre mémoires à adresse commune.
Des mémoires traditionnelles et des mémoires cache sont assignées à des groupes respectifs.
Mémoires statiques à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAMs), y compris les antémémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (cache-RAMs
Mémoires statiques à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAMs), y compris les antémémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (cache-RAMs
Ces mémoires comprennent des mémoires à accès continu fonctionnant à une fréquence égale ou supérieure à 66 MHz.
Mémoires statiques à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAMs), y compris les antémémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (cache-RAMs
L'invention concerne des procédés et des mémoires pour des systèmes intégrées, ainsi que des systèmes comprenant des mémoires gérées.
Plein de souvenirs, tant de souvenirs, trop de souvenirs.
De bons souvenirs, de mauvais souvenirs… Des souvenirs, tout simplement.
Parmi une pluralité de mémoires, les conditions prescrites relatives à la condition d'utilisation des mémoires peuvent être remplies et certaines mémoires peuvent être inutilisées.
Les souvenirs sont individuels et forgent des mémoires collectives.
Il exigeait des souvenirs, trop jeune qu'il était pour savoir que les souvenirs n'étaient que des souvenirs de souvenirs.
Il exigeait des souvenirs, trop jeune qu'il était pour savoir que les souvenirs n'étaient que des souvenirs de souvenir.
Des modes de réalisation de l'invention concernent une protection ECC sensible à l'endurance pour mémoires (par exemple des mémoires à changement de phase).
L'invention concerne la réécriture et la correction d'erreurs, technologies utilisables pour les mémoires non volatiles, telles que les mémoires Flash.
Si les mémoires ne sont pas doublées, au moins deux mémoires différentes (LMY, AV) mémorisent des informations identiques.
Des données de mémoires locales indiquent, dans les mémoires de données locales, des adresses modifiées dans des convertisseurs d'adresses locaux.
circuit de rafraichissement des mémoires dynamiques
mémoires programmables de lecture uniquement (PROM)
Elle oubliait les bons souvenirs et gardé les mauvais souvenirs.
Les mémoires rassurantes sont appelées mémoires d’extinction.
Elle voit ce que voient lesmémoires, ressent ce que ressentent les mémoires, se comporte comme les mémoires se comportent, et décide ceque les mémoires décident.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод