Les pores de la matière microporeuse résistent à l'affaissement pendant le traitement.
La présente invention concerne un matériau de resist et un procédé de formation de motifs à l'aide dudit matériau.
Cette réserve est, de préférence, une réserve d'adsorption sélective qui permet au matériau déposé de pénétrer la réserve de sorte que celle-ci se reforme sur la partie supérieure du matériau déposé.
Selon l'invention dans la formation d'un modèle de réserve en utilisant un matériau de réserve de type à amplification chimique, l'effondrement du modèle de réserve peut être supprimé.
L'invention concerne une composition de réserve qui comprend une matériau de base de réserve et un solvant, le matériau de base de réserve contenant un stéréoisomère spécifique, ce dernier représentant 50 à 100 % en poids du matériau de base de réserve.
Ce matériau de base (10) comporte une trame (12), une couche de réserve (30) de matériau de protection et un film de protection (22).
L'invention concerne un matériau de résist pour une lithographie.
Un film de resist (102) est formé sur un substrat (101) à l'aide d'un matériau de resist.
Le matériau résistant à une attaque chimique (210) peut comprendre un matériau protecteur (230) disposé sur un masque (240).
L'invention concerne un matériau réfléchissant la lumière de manière diffuse et conçu pour résister à la contamination.
On élimine le premier matériau et le résist en laissant le premier motif de matériau.
L'invention concerne une composition de réserve qui comprend un composant solide contenant un matériau de base de réserve, et un solvant.
Selon l'invention, un film de résist (102) est formé sur un substrat (101) à partir d'un matériau de résist à amplification chimique.
Une réserve (144) est déposée sur le matériau magnétique empilé, puis façonnée en motifs, ce qui expose des régions du matériau magnétique empilé (142).
L'invention concerne une matière de réserve destinée à une lithographie par immersion.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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